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SK하이닉스 CTO '미세공정 한계 봉착, EUV 개발해야'

홍성주 CTO, 세미콘 코리아 2017 기조연설자로 나서
홍성주 SK하이닉스 부사장이 8일 서울 삼성동 코엑스에서 열린 ‘세미콘(SEMICON) 코리아 2017’에서 기조연설자로 나섰다. (사진=세미콘코리아)
[이데일리 성세희 기자] 반도체 집적화가 최고치에 근접해 미세공정 경쟁 대신 다른 대안을 찾아야한다는 목소리가 나왔다.

홍성주 SK하이닉스 미래기술원장(CTO)은 8일 서울 강남구 코엑스에서 열린 ‘세미콘(SEMICON) 코리아 2017’ 기조연설에서 “앞으로 극자외선(EUV) 장비와 낸드플래시 메모리 개발 등 대안을 찾아야 한다”고 말했다.

EUV 장비는 네덜란드 ASML사가 독점 제작하는 반도체 미세공정 장비다. 이 장비는 미세한 빛 파장을 이용해 반도체 웨이퍼에 패턴을 새길 수 있다. 그러나 EUV는 ASML만 독점 생산하는 장비라 수천억원을 호가하는 것으로 알려졌다.

SK하이닉스는 D램 반도체 생산을 넘어 EUV 장비도 넘보고 있다. 홍 원장은 “반도체 미세공정이 한계에 다다른 상태인데 많은 전문가는 EUV 개발이 어렵다고 지적했다”면서도 “마틴 반 덴 브링크 (Martin van den Brink) ASML 최고기술책임자처럼 불굴의 의지를 지닌 사람을 보면 가능하지 않을까 생각한다”라고 말했다.

아울러 수직으로 쌓아올리는 낸드플래시 메모리 속도를 높이는 데 주력할 계획이다. 홍 원장은 “2D에 이어 3D 낸드는 24단부터 48단까지 양산하는데 속도가 느려지는 문제점이 있다”라며 “3D 낸드가 수직으로 쌓아서 층을 높인 만큼 구멍을 뚫어 셀을 만드는 게 어렵다”라고 토로했다.

아울러 “셀을 만들 때 속도가 느려지면 안 되기 ??문에 구멍을 빨리 잘 뚫는 기술을 개발해야 한다”라며 “D램과 낸드플래시를 대체할 새로운 반도체도 개발해야 한다”라고 덧붙였다.