삼성·SK하이닉스, 글로벌 반도체 장비 투자 41% 차지..거센 中 추격

삼성전자와 SK하이닉스 등이 지난해 반도체 시설 투자를 크게 늘리면서 장비 투자액도 사상 최대를 기록했다. 올해는 중국이 본격적으로 장비 투자에 들어가면서 내년 이후 메모리 시장 진입 가능성이 커지고 있다. 삼성전자의 중국 시안반도체공장 전경. [삼성전자 제공]

[이데일리 양희동 기자] 삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660)가 작년 한해 반도체 장비 구입에 쓴 돈이 전 세계 장비 투자액의 40%에 달하는 것으로 나타났다. 이들 두 회사의 대규모 투자에 힘입어 글로벌 반도체 장비 투자액은 500억 달러를 훌쩍 넘기며 사상 최대치를 달성했다. 올해도 반도체 호황의 지속 가능성이 큰 가운데 업체들의 장비 투자 규모는 600억 달러를 넘어 또다시 신기록을 경신할 전망이다. 하지만 중국 업체들이 올해 반도체 장비 투자를 대폭 늘리며 2019년 이후 D램 등 메모리 생산 본격화를 예고하고 있어 향후 메모리 시장의 공급 과잉 우려도 고개를 들고 있다.

3일 국제반도체장비재료협회(SEMI)의 ‘세계 팹(Fab·반도체 생산시설) 전망 보고서’에 따르면 지난 2017년 전 세계 반도체 장비 투자액은 역대 최고치인 570억 달러(약 61조원)에 달할 것으로 예측됐다. 반도체 장비 투자액이 500억 달러를 넘은 것은 이번이 처음으로 전년(400억 달러) 대비 42.5% 증가한 수준이다. 이 중 삼성전자(180억 달러)와 SK하이닉스(55억 달러) 등 국내 양대 반도체업체가 전체 41.2%에 달하는 235억 달러를 투자했다. 사실상 이들 두 업체가 전 세계 장비 투자 증가를 주도한 것이다. 실제 삼성전자는 지난해 장비 투자액 증가율이 전년 대비 128%에 달했고 SK하이닉스도 70%가 늘어났다. 이들 두 업체를 제외한 글로벌 반도체 장비 투자 증가율은 16.3%에 그친다.

[이데일리 문승용 기자]

SEMI측은 “미국 인텔과 마이크론, 웨스턴디지털, 글로벌파운드리, 일본 도시바 등 여러 반도체 기업들이 2017년 한해 시설 투자를 늘렸지만, 투자액 증가분은 대체로 한국의 두 업체에 집중됐다”며 “2018년에도 삼성전자와 SK하이닉스는 한국을 중심으로 대규모 투자를 지속할 것”이라고 분석했다. 새해에는 △반도체 수요 증가세 △메모리 가격 강세 △치열할 업체 간 경쟁 등으로 인해 신규 팹 건설 및 장비 투자가 전년 대비 11% 가량 늘며 약 630억 달러에 이를 것으로 SEMI는 내다봤다.

문제는 올해부터 중국이 반도체 시설 투자에 공격적으로 나선다는 점이다. 중국은 지난해 건설한 팹에 올해부터 장비 도입을 시작할 전망이다. 주목할 부분은 과거에는 한국과 미국, 일본 등 해외기업의 중국 내 팹 투자가 대부분이었지만 올해는 중국계 반도체 기업들의 투자가 비슷한 수준으로 이뤄질 것이란 사실이다.

2018년 중국 내 장비 투자 예상액은 총 125억 달러로 이 중 현지 업체들의 투자액이 절반에 육박하는 약 58억 달러에 이른다. 기존 업체는 물론 양쯔강메모리테크놀로지(Yangtze Memory Technology)와 푸젠진화반도체(Fujian Jin Hua), 후아리 마이크로일렉트로닉스(Hua Li), 허페이창신 메모리(Hefei Chang Xin Memory) 등 여러 신생 업체들까지 앞다퉈 투자에 나설 것으로 보인다. 중국 업체들의 신규 팹 건설 투자액도 지난해 60억 달러에서 올해 66억 달러로 10% 늘며 역대 최고치를 기록할 전망이다.

반도체업계 한 관계자는 “중국은 정부가 주도해 반도체 투자를 진행하고 있고 내년부터 메모리 생산을 시작하면, 자국 제품에 의무 탑재하는 방식으로 시장에 진입할 가능성이 크다”면서도 “한국 기업들이 선점한 ‘10나노급 D램’이나 ‘4세대 3D낸드’ 등 고부가가치 제품들은 중국과의 기술격차가 5년 이상이라 단기간에 시장 판도가 바뀌긴 어려울 것”이라고 말했다.

2004년~2018년 연도별 글로벌 반도체 장비 투자액 추이. [단위=10억 달러·자료=SEMI]

2012년 이후 북미, 중국, 유럽·중동, 일본, 한국, 동남아, 대만 등의 연도별 반도체 장비 투자액 추이. [단위=10억 달러]