[초격차 10년]③저사양 D램·낸드 양산 돌입…가격 경쟁 나선 中

[이데일리 이동훈 기자]

[이데일리 김종호 기자] 삼성전자(005930)가 경쟁사와 기술 격차를 수년 이상 벌리는 ‘초(超)격차’ 전략을 내세우는 반면, 중국 업체들은 이러한 격차를 줄이는데 사활을 걸고 있다. 특히 중국 업체들은 자국 정부의 전폭적인 지원을 앞세워 올 연말부터 본격적인 메모리 반도체 양산에 나서는 등 기술 격차를 빠르게 좁혀오는 상황이다.

반도체 업계에 따르면 양쯔메모리테크놀로지컴퍼니(YMTC)와 이노트론(Innotron), 푸젠진화반도체(JHICC) 등 중국의 3대 메모리 업체들은 올 하반기부터 줄줄이 자사 기술을 활용한 메모리 양산에 들어간다.

칭화유니그룹의 자회사인 YMTC는 후베이성 우한에서 올 연말 저사양인 32단 3차원(3D) 낸드플래시 양산에 돌입한 이후 내년 말에는 고사양에 속하는 64단 3D 낸드를 생산할 계획이다. 삼성전자가 64단 3D V낸드를 양산한 시점(2017년 1월)을 감안할 때 YMTC와 삼성전자의 기술 격차가 최소 약 2년까지 줄어드는 셈이다.

중국 안후이성 허페이 D램 공장을 지난해 6월 완공한 이노트론은 올 연말 시험생산에 들어가 내년 초 본격적인 양산에 착수할 예정이다. 이노트론은 첫 제품으로 첨단 제품인 ‘LPDDR4 8Gb’ 칩을 선택했다. 이는 스마트폰에 탑재되는 모바일 D램으로, 삼성전자는 2014년 생산을 시작한 바 있다.

푸젠진화 역시 푸젠성 진장에 약 6조원을 투입해 일반 D램보다 가격이 30~50%가량 비싼 서버용 D램 양산을 준비 중이다. 업계에서는 푸젠진화가 이르면 올 연말에서 늦어도 내년 초에는 D램 양산을 시작할 것으로 예상하고 있다.

이처럼 중국 업체들이 단시간에 기술력을 높여 메모리 양산 단계까지 도달한 데는 중국 정부의 전폭적인 지원이 있었기 때문에 가능했다. 세계 제조업의 최대 생산기지인 중국은 ‘중국 제조 2025’ 정책하에 현재 20%대에 머무는 반도체 자급률을 오는 2025년까지 70%까지 끌어올리기 위해 노력 중이다.

중국 정부는 2014년 9월 자국 반도체 업체를 육성하기 위해 5000억위안(약 82조원)을 투입해 자금부터 세금 감면, 인재 육성 등 종합적인 지원을 이어왔다. 삼성전자와 SK하이닉스(000660), 마이크론 등을 상대로 가격 담합 조사에 나서는 등 해외 업체 견제에도 신경을 썼다. 이런 지원을 등에 업은 중국 업체들은 1단계로 기술 기반을 닦고, 2단계로 대규모 설비 투자를 단행하는 등 철저한 준비 끝에 메모리 본격 양산을 눈앞에 뒀다.

업계에서는 올 연말부터 중국 업체들이 본격적인 메모리 양산에 돌입함에 따라 이들의 저가 공세가 현실화할 것으로 우려하고 있다. 최근 삼성전자와 LG전자(066570) 등이 중국 저가 스마트폰 공세에 위기를 맞은 가운데 이와 같은 현실이 메모리 시장에서도 그대로 이어질 수 있다는 전망도 나온다.

업계의 한 관계자는 “전 세계 반도체 수요의 60% 이상을 차지하는 중국이 저가형 제품을 시작으로 자국 내 메모리 시장 점유율을 높여가면 국내 업체에 영향을 미칠 수밖에 없다”면서 “중국 업체가 기술력을 높이는 데는 아직 시간이 더 필요한 만큼, 삼성전자와 SK하이닉스 등이 시스템 반도체 R&D 강화 등으로 주도권을 유지하기 위한 대응책을 모색해야 할 것”이라고 말했다.