삼성전자, 32나노 SOC에 초절전공정 도입

[이데일리 류의성 기자] 삼성전자(005930)는 파운드리업계 처음으로 32나노 SOC(시스템온칩)공정에 `HKMG 로직기술`을 개발· 도입했다고 11일 밝혔다.

HKMG(하이-케이 메탈 게이트)란 전력 누수 차단을 높인 메탈. 이 기술은 공정이 미세화될수록 늘어나는 누설전류를 줄여주고, 집적도는 2배 높여 동작속도를 향상시킨 최첨단 저전력 공정기술이다.

삼성은 미국 IBM 등 로직 기술 개발 파트너들과 공동연구 끝에 개발에 성공했다.

회사 측은 32나노 공정에 이 기술을 적용해 기존 45나노 저전력 공정보다 각각 누설전력 55%, 소비전력 30%를 감소시켰다고 설명했다.

또 ARM(암)과 Synopsys(시놉시스) 등 IP 및 설계 솔루션 파트너들과 검증을 끝내 파운드리 고객들은 제품 개발에 바로 활용할 수 있다고 밝혔다.

삼성전자는 파운드리 업계에서 32나노 공정에 HKMG기술을 적용한 것은 자사가 처음이라고 강조했다.

스마트폰과 태블렛 PC등 차세대 모바일 기기 개발에 중요한 역할을 할 것으로 기대된다는 것이 회사 측 설명이다.

우남성 삼성전자 시스템LSI 부사장은 "32나노 하이-케이 메탈 게이트 로직공정 개발은 파운드리 사업에서 기술 리더십을 확인하는 전략적인 이정표"라고 의미를 부여했다.

우 부사장은 "삼성전자는 주요 기술 파트너들과 기술협력을 통해 모든 양산 준비를 마치고, 고객의 다양한 제품 설계를 적용한 제품 개발 단계에 있다."고 밝혔다.

게리패튼 IBM 반도체 R&D센터장은 "하이-케이 메탈 게이트 기술은 차세대 모바일 기기에 최적의 성능을 제공할 것"이라고 말했다.

한편 시장조사업체인 가트너는 파운드리 시장은 2009년 200억불에서 2014년 422억불로 연평균 16%씩 성장해, 전체 반도체 시장 성장률 9%를 상회할 것으로 전망했다.

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