엘피다, 내달부터 30나노 D램 양산-닛케이

[이데일리 임일곤 기자] 일본 엘피다메모리가 내달부터 30나노급 반도체칩을 양산하기 시작할 것이라고 니혼게이자이신문이 회사 관계자 말을 인용해 27일(현지시간) 보도했다.

엘피다는 이를 통해 글로벌 시장 선도업체인 삼성전자(005930)를 따라잡는다는 방침이라고 신문은 전했다.

엘피다는 300mm 실리콘 웨이퍼 수천장 규모의 30나노미터 공정 생산캐퍼를 연말까지 12만장으로 늘리는 등 D램 생산량을 확대할 계획이다. 30나노급 공정은 이전 기술인 40나노급보다 웨이퍼 1장당 생산량이 45% 많아 그만큼 생산비를 절감할 수 있다.

엘피다는 지난 1월부터 주력 공장인 히로시마현 공장에서 30나노 반도체칩을 생산하기 시작했다. 지난달 대지진이 발생했지만 양산에 필요한 핵심 원료를 충분히 확보한 것으로 알려졌다. 엘피다는 오는 7~9월에 히로시마 공장의 30% 생산공정을 새로운 칩 개발에 집중한다는 계획이다.

한편 스마트폰과 태블릿PC 수요가 증가하면서 D램 시장은 전세계적으로 확대되고 있고 소형화 경쟁도 뜨거워지고 있다. 삼성은 작년 7월 30나노 D램 양산을 시작했다.

반면 미국의 마이크론은 아직 30나노급을 양산하지 않았다고 신문은 설명했다.

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