[美특징주]인텔, 18A-P 공정노드 ‘양산 초읽기’…시간외 1% 반등

[이데일리 이주영 기자] 인텔(INTC)이 18A-P 공정 노드가 정식 생산을 앞두고 시험 생산 단계에 진입했다고 발표했다. 이는 회사가 기존에 고객사 및 파트너사들과 공유했던 일정을 충족한 것이다.

16일(현지시간) 2026 VLSI 심포지엄에서 인텔은 18A 제품군의 첫 번째 성능 향상 버전으로 인텔 18A-P를 공개했다. 회사 측에 따르면 이 노드는 동일한 전력 수준에서 인텔 18A 대비 9% 높은 성능을 제공하거나, 동일한 성능 수준에서 18% 낮은 전력을 소비한다.

인텔 파운드리는 구동 전류와 주파수를 높이기 위해 설계된 이중 접촉, 저저항 트랜지스터 옵션인 파워 부스트 기능을 도입했다. 인텔 18A-P는 인텔 18A와 설계 규칙이 완전 호환되어 기존 지식재산권과 디자인 플로우를 그대로 재사용할 수 있는 것이 특징이다.

심포지엄에서 에릭 칼 인텔 파운드리 부사장은 후면 전력 공급 및 게이트올어라운드 트랜지스터에 대한 데이터를 제시하며, 라우팅 면적이 11% 줄고 동적 전압 강하가 10배 감소했다고 밝혔다. 회사 측은 이것이 전면 인터커넥트 기술 대비 최대 6%의 주파수 향상 또는 15% 이상의 동적 전력 절감으로 이어진다고 설명했다.

인텔은 이번 행사에서 장기 연구 과제도 공유했다. 게이트올어라운드 스케일링을 넘어설 대안으로 45나노미터 게이트 피치에서 수직으로 적층된 트랜지스터를 갖춘 모놀리식 CFET 인버터를 시연했다. 아울러 단일 공정에서 실리콘 로직과 질화갈륨 전력 소자의 300밀리미터 모놀리식 통합을 선보였으며, 에어갭 통합을 적용한 서브트랙티브 루테늄 인터커넥트를 시연해 구리 대비 커패시턴스를 최대 35%가량 줄였다고 설명했다.

한편 이날 정규장 거래에서 인텔 주가는 전일 대비 8.45% 하락으로 마감됐으나 이후 현지시간 이날 오후 5시 24분 시간외 거래에서는 1.23% 반등하며 118.49달러까지 회복하고 있다.