삼성전자와 SK하이닉스는 4~6일(현지시간) 미국 캘리포니아주 산타클라라 컨벤션센터에서 열리는 FMS 2026에 참가해 차세대 AI 메모리 기술과 전략을 공개한다. 두 회사는 기조연설과 패널 토의, 전시 등을 통해 AI 시대에 필요한 메모리 인프라 청사진을 제시할 예정이다.
SK하이닉스는 4일 샌디스크와 함께 차세대 스토리지 기술인 고대역폭플래시(HBF)의 첫 표준 규격을 공개했다. HBF는 고대역폭메모리(HBM)와 솔리드스테이트드라이브(SSD) 사이에 위치하는 새로운 메모리 계층이다. HBM 수준의 높은 데이터 처리 속도를 제공하면서도 낸드플래시 기반으로 용량을 크게 확대할 수 있는 것이 특징이다.
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이날 SK하이닉스 김천성 솔루션개발 부문장과 강욱성 차세대상품기획 담당은 공동 기조연설에 나선다. 발표 주제는 ‘AI 에이전트 시대, 계층형 메모리에 기반한 AI 인프라의 효율적 구현 방안’이다. 두 발표자는 AI 데이터 병목을 해결하기 위한 핵심 전략으로 ‘계층형 메모리 시스템’을 제시한다. 연산처리장치(xPU)의 3D 스택 D램, HBF, 컴퓨트익스프레스링크(CXL) 기반 메모리 풀링 등을 결합해 메모리 계층을 구성하는 방안을 소개할 예정이다.
삼성전자도 AI 시대를 겨냥한 차세대 메모리 기술을 공개한다. 이진엽 부사장과 김경륜 상무는 기조연설을 통해 AI 시대에 요구되는 차세대 메모리와 스토리지 전략을 발표한다. 삼성전자는 메모리와 파운드리(반도체 위탁생산), 첨단 패키징을 아우르는 종합반도체기업(IDM) 역량을 바탕으로 AI 인프라의 병목을 줄이고 확장성을 높이는 통합 솔루션을 제시한다.
SK하이닉스는 개발 중인 10세대(V10) 375단 4D 낸드의 웨이퍼와 제품도 처음 공개한다. 375단 4D 낸드는 이전 세대 대비 전력 효율을 2.5배 높인 것이 특징으로, 회사는 내년 초 이를 적용한 고성능·고용량 기업용 SSD(eSSD) 양산에 들어갈 계획이다.





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