삼성·SK, 미래 AI 메모리에 투자 집중…1분기 R&D 투자↑

[이데일리 김소연 기자] 올해 1분기 삼성전자(005930)와 SK하이닉스(000660)가 연구개발(R&D) 비용과 시설 투자를 확대한 것으로 나타났다. 두 회사는 연구개발 비용과 시설 인프라 투자를 확대하면서 인공지능(AI) 반도체 등 미래를 대비하고 있다. 첨단 공정 전환과 증설을 위한 인프라 투자가 중점적으로 이루어졌다.

15일 각사가 공시한 분기보고서에 따르면 삼성전자는 올해 1분기 연구개발비용으로 9조348억원을 집행했다. 지난해 1분기 7조8201억원 보다 15.5% 증가한 수준이다. 1분기 기준으로 보면 역대 최대 규모다. 다만 지난해 4분기와 비교하면, 10조 3000억원에 달했던 R&D 투자 금액은 1조원 이상 줄어든 것으로 나타났다.

시설 인프라 투자는 확대됐다. 1분기 삼성전자 시설투자액은 총 11조 9983억원으로 집계됐다. 지난해 1분기(11조3087억원)보다 6.1% 늘었다. 시설 인프라 투자에서는 반도체 사업부문(DS) 투자가 대부분을 차지했다. DS 부문 투자액은 10조 9480억원으로 지난해 1분기(9조6663억원)보다 13.3% 늘었다. 삼성전자는 DS부문과 삼성디스플레이 등의 첨단공정 증설·전환과 인프라 투자를 중심으로 시설 투자가 이뤄졌다고 설명했다. 또 메모리 차세대 기술 경쟁력 강화와 중장기 수요 대비를 위한 투자를 지속 추진했다고 덧붙였다. 시스템 반도체는 선단 노드 생산능력(CAPA) 확보를 위한 투자를 진행하고 있다는 설명이다.

삼성전자는 1분기 주요 R&D 결과로 △업계 최초 24Gb GDDR7 D램 양산 △PCIe 5.0 기반의 고성능 소비자용 SSD ‘9100 PRO’ 출시 △갤럭시 S25·S25+·S25울트라 출시 등을 거론했다.

반도체 클린룸(사진=삼성전자)

SK하이닉스도 마찬가지로 투자를 대폭 확대했다. SK하이닉스의 올해 1분기 R&D 연구개발 비용은 1조 5440억원으로 집계됐다. 지난해 1분기(1조1090억원)과 비교하면 무려 39.2%가 늘어난 수준이다. 매출액 대비 연구개발비가 차지하는 비율은 8.8%로 나타났다.

SK하이닉스의 1분기 시설투자액은 전년 동기(2조 9430억원) 대비 두 배 늘어난 5조 8840억원이었다. SK하이닉스는 반도체 기계 장비 등 자산에 투자하며 생산 능력 증가를 꾀하고 있다고 했다.

SK하이닉스의 연구개발 실적으로 321단 1Tb TLC 모바일 낸드플래시 제품, PCIe Gen4 SSD, 데이터센터 메모리 용량 확장을 위한 1세대 CXL D램 솔루션 제품 개발 등을 언급했다.

삼성전자의 1분기 5대 매출처는 알파벳, 애플, 도이치텔레콤, 홍콩 테크트로닉스, 버라이즌이다. 이들 기업에 대한 매출 비중은 전체 매출액의 약 12% 수준이다. 지난해 말과 비교하면 대만 반도체 유통기업 수프림 일렉트로닉스가 빠지고, 구글의 모회사 알파벳이 새로 들어왔다. 갤럭시 S25 판매 호조에 따라 주요 매출처에 변화가 생긴 것으로 보인다. 삼성전자의 스마트폰의 1분기 시장 점유율(테크인사이트 기준)은 20.4%로 작년(18.3%)보다 늘었다.