SK하이닉스, '10나노급 5세대 서버용 DDR5' 개발..인텔과 검증

1b DDR5 기술개발 완료..삼성과 속도경쟁
"최고 동작속도 구현…전제품보다 전력소모 20%↓"
"D램 경쟁력 통해 하반기 실적 개선"
  • 등록 2023-05-30 오전 9:57:10

    수정 2023-05-30 오전 9:57:10

[이데일리 최영지 기자] SK하이닉스(000660)는 10나노(나노미터·1㎚는 10억분의 1m)급 5세대(1b) 서버용 DDR5를 개발한 데 이어 이를 인텔에 제공해 검증 절차에 돌입했다. 초격차 기술 확보에 이어 서버용 시장에서 독보적인 점유율을 기록하고 있는 인텔과의 협력을 통해 시장 선점에 집중하겠다는 전략으로 해석된다.

SK하이닉스의 1b DDR5 서버용 D램 모듈(사진=SK하이닉스)
30일 SK하이닉스는 최근 서버용 10나노급 5세대(1b) 기술 개발을 완료했고 이 기술이 적용된 제품을 인텔에 제공해 ‘인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램’ 검증 절차에 돌입했다고 밝혔다. 이 프로그램은 인텔의 서버용 플랫폼인 ‘제온 스케일러블 플랫폼’에 사용되는 메모리 제품의 호환성을 공식 인증하기 위해 진행된다.

이번에 인텔에 제공된 DDR5 제품은 동작속도가 6.4Gbps(초당 6.4Gb)로, SK하이닉스 기술진이 현재 시장에 나와 있는 DDR5 중 최고 속도를 구현했다는 것이다. DDR5 초창기 시제품보다 데이터 처리 속도를 33% 향상시켰다. 또, 1b DDR5에 ‘HKMG(High-K Metal Gate)’ 공정을 적용해 1a DDR5 대비 전력 소모를 20% 이상 줄였다.

SK하이닉스는 “1b 기술 개발을 통해 글로벌 고객들에게 높은 성능과 우수한 전성비를 두루 갖춘 D램 제품을 공급할 수 있게 될 것이다”고 강조했다.

SK하이닉스 발표에 앞서 삼성전자도 지난 18일 세계 최초로 5세대 10나노급 공정의 DDR5 양산을 시작했다고 밝혔다. 이전 세대 제품보다 소비 전력이 약 23% 개선됐고, 최고 동작 속도 7.2Gbps를 지원한다고 삼성 측은 설명했다. 해당 제품은 지난해 AMD 플랫폼 기반 호환성 검증을 마쳤다.

김종환 SK하이닉스 부사장 DRAM개발담당은 “이번 제품에 앞서 지난 1월 10나노급 4세대(1a) DDR5 서버용 D램을 4세대 인텔 제온 스케일러블 프로세서에 적용해 업계 최초로 인증 받았고 이번 1b DDR5 제품 검증도 성공적으로 마무리될 것”이라고 했다.

또 “올해 하반기부터 메모리 시장 상황이 개선될 것이라는 전망이 나오는 가운데, 당사는 1b 양산 등 업계 최고 수준의 D램 경쟁력을 바탕으로 하반기 실적 개선을 가속화할 것”이라며 “내년 상반기에는 최선단 1b 공정을 LPDDR5T, HBM3E로도 확대 적용할 것”이라고 밝혔다. 인텔이 전세계 서버용 CPU 시장에서 90% 상담의 점유율을 기록하는 것으로 나타나는 만큼 인텔과의 협업이 중요하다는 게 업계 중론이다.

디미트리오스 지아카스 인텔 메모리 I/O기술부문 부사장은 “인텔은 DDR5와 인텔 플랫폼의 호환성 검증을 위해 메모리 업계와 밀접하게 협업하고 있다”며 “SK하이닉스의 1b DDR5는 인텔의 차세대 제온 스케일러블 플랫폼에 활용될 것이며, 이를 위해 업계 최초로 인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램 검증을 거치고 있다“고 말했다.

한편, SK하이닉스는 인텔 호환성 검증이 완료된 1a DDR5를 인텔의 다음 세대 제온 스케일러블 플랫폼에도 적용할 수 있도록 추가적인 인증 절차를 함께 진행하고 있다고 밝혔다.

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