현대모비스, 차량용 반도체 내재화 속도↑…미국에 연구거점 신설

[이데일리 이다원 기자] 현대모비스(012330)가 올해 전동화, 전장, 램프 등 핵심부품용 반도체 연구개발(R&D) 및 신뢰성 검증을 마치고 양산을 개시한다고 18일 밝혔다.

올해 현대모비스는 전기차 전원 제어 기능을 합친 전원통합칩, 램프구동 반도체 등을 양산할 예정이다. 또 전기차 충전 상태를 모니터링하며 안정성에 기여하는 배터리관리집적회로(IC)는 차세대 제품 개발에 속도를 낼 예정이다.

현대모비스 반도체 경쟁력 강화전략. (사진=현대모비스)

지난 2020년 현대오트론에서 반도체 사업을 인수한 지 5년 만에 차량용 반도체 양산 성공 사례를 늘리고 있다. 현대모비스는 지난 수년간 차량용 반도체 R&D에 매진했으며, 자체 설계한 반도체 품목과 수량이 증가한 것은 물론 생산과 공정기술, 그리고 품질과 구매 전 분야에서 성과를 내고 있다.

인력 확보에도 집중하고 있다. 현대모비스는 현재 반도체사업담당이라는 별도 조직을 운영하며, 3백여 명 수준의 전문인력을 확보한 것으로 알려졌다.

또한 현대모비스는 글로벌 반도체 기업과 협업을 강화하고 해외 우수인재를 확보하기 위해 미국 실리콘밸리에 전문 연구 거점을 신설할 계획이다. 실리콘밸리 연구거점은 국내 연구소와 함께 투트랙으로 운영하며, 현지 맞춤형 반도체 설계 기술 R&D에도 나선다.

R&D 성과의 배경으로는 포트폴리오를 전력반도체와 시스템반도체 두 분야로 재정비한 것이 꼽힌다. 먼저 현대모비스는 전력반도체 설계 내재화를 통해 전동화 밸류체인을 완성하겠다는 목표다. 전력반도체 여러 개를 통합하고 냉각기능을 추가해 더 큰 단위인 ‘파워모듈’을 양산하며, 전력반도체-파워모듈-인버터-모터-PE시스템으로 이어지는 전기차 구동계의 모든 진용을 갖춘다는 방침이다.

또 전원, 구동, 통신, 센싱, 네트워킹 등 다양한 기능을 수행하는 시스템반도체의 경우 전략 제품의 반도체 독자 설계 역량은 강건화하고, 그 밖의 반도체는 별도의 생태계를 구축해 수급 대응력도 향상시킨다는 방침이다.

현대모비스는 중장기 반도체 연구개발 전략에 따라 내년에는 실리콘 기반 고전력 반도체(Si-IGBT)를, 오는 2028년과 2029년에는 각각 차세대 배터리관리 IC와 실리콘카바이드 기반 전력반도체(SiC-MOSFET) 양산을 목표로 제시했다.

박철홍 현대모비스 반도체사업담당 전무는 “실리콘밸리 연구거점 신설을 통해 차량용 반도체 생태계를 확대 구축하고, 해외 주요 기업들과의 연구개발 협력 사례를 늘릴 예정”이라며 “이를 통해 전동화와 전장부품용 핵심반도체 독자 개발을 가속화하겠다”고 말했다.