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26일 업계에 따르면 삼성전자는 평택 1라인 2층 클린룸과 화성 S3라인(EUV) 등에서 3세대 10나노급 D램을 각각 개발·양산할 것으로 파악된다. 앞서 지난 9일 이재용 부회장도 직접 평택 공장을 찾아 이들 제품의 양산 준비 과정을 살펴봤다.
이 부회장이 직접 현장 경영을 통해 3세대 10나노급 D램을 챙긴 이유는 경쟁업체가 아직 개발조차 못한 초격차 기술인데다, EUV 공정이 병행되는 첫 메모리 제품이기 때문이다. 삼성전자는 10나노 미만의 한자릿수 미세공정(A·B·C 나노급 구분 예상)에서 EUV를 사용하기 전, 먼저 3세대 10나노급 제품에 적용해 기술의 안정성과 완성도를 높인다는 계획이다. 여기에 일본이 한국을 화이트리스트(백색국가·전략물자 절차 간소화 대상국) 제외한 이후 추가 규제를 확대할 것에 대비해 제품 공정을 이원화하는 목적도 있는 것으로 전해졌다.
업계는 애초 세계 D램 시장 흐름을 ‘상저하고(上低下高·상반기 저조 하반기 상승)’로 예측했지만 미·중 무역전쟁 격화와 일본 수출 규제 등 대외 악재가 겹치며 지난달까지 가격 하락세를 지속해왔다. D램익스체인지에 따르면 D램(DDR4 8Gb 기준) 고정거래가격은 7월 말 기준 평균 2.94달러로 전달 대비 11.18% 하락해 2달러 선까지 추락했다. 그러나 현물가격은 일본 수출 규제로 인한 공급 감소 우려로 최대 25%까지 상승한 뒤 현재까지 3달러 중반대를 유지하고 있다. 이로인해 이번 3분기 중 가격이 저점을 지날 것이란 분석이 설득력을 얻고 있다.
반도체 업계 관계자는 “D램 ‘빅(BIG)3’ 가운데 SK하이닉스(000660)와 마이크론은 아직 20나노급 제품을 생산하고 있어 이 부분에 대한 감산을 진행하고 있지만 삼성전자는 전 제품이 10나노급(1x·1y)으로 인위적 감산이 불필요하다”며 “경쟁업체보다 한발 앞선 초격차를 통해 3세대 D램을 양산한다면 업황 호전의 수혜를 가장 먼저 입을 수 있을 것”이라고 말했다.
이 부회장은 “위기와 기회는 끊임없이 반복된다. 지금 LCD(액정표시장치) 사업이 어렵다고 해서 대형 디스플레이를 포기해서는 안 된다”며 “신기술 개발에 박차를 가해 다가올 새로운 미래를 선도해야 한다. 기술만이 살 길이다”고 당부했다.
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