삼성 파운드리 비전 제시한 최시영 "데이터 기반 사회열겠다"

[이데일리 배진솔 기자] 최시영(사진) 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문 파운드리사업부장(사장)이 삼성 파운드리(반도체 수탁생산)의 비전은 기술 경쟁력을 기반으로 한 공정·설계 유연성 제공으로 데이터 기반 사회를 여는 것이라고 밝혔다.

최시영 사장은 16일 세계 3대 반도체학회 포럼인 ‘VLSI 심포지엄 2021’에서 “어떤 도전에도 대응할 준비가 돼있다”며 이같이 밝혔다.

내년 3나노 공정서 MBCFET 활용

최시영 사장은 이날 ‘팬데믹 시대, 새로운 파운드리의 답을 제시하다’를 주제로 한 기조연설에서 ‘MBCFET(Multi-Bridge Channel Field Effect Transistor) 기술’에 대해 설명했다.

최 사장은 “핀펫이 모바일 시스템온칩(SoC) 시대를 열었던 것처럼 MBCFET은 고성능·저전력 컴퓨팅, 인공지능(AI), 5세대(5G) 이동통신 확산 가속화를 통해 데이터 기반 사회를 열 것”이라고 밝혔다.

MBCFET은 FinFET기술의 뒤를 잇는 차세대 반도체 트랜지스터 구조다. MBCFET 기술은 기존 가늘고 긴 와이어 형태의 GAA(Gate-All-Around) 구조를 한층 발전시켜 종이처럼 얇고 긴 모양의 나노시트를 적층하는(쌓는) 방식이다. 윗면·앞면·뒷면 등 총 3면을 트랜지스터의 게이트로 쓰는 핀펫 이후 개발돼 게이트의 아랫면까지 모두 쓰는 4차원 방식의 기술인 GAA에서 한 발 더 앞서 나간 것이다.

삼성전자는 내년 3나노미터(nm·10억분의 1미터(m)) 이하 공정에서 MBCFET를 활용할 계획이다. 이 기술은 전압의 저항을 효과적으로 줄이면서 설계 유연성이 우수해 전력차단 능력도 뛰어난 것으로 알려졌다. 글로벌 반도체업계에서 초미세 공정 경쟁이 치열한 가운데 삼성 만의 독자적인 기술력을 바탕으로 칩 면적과 소비전력, 속도 등을 개선시키겠다는 것이다.

VLSI 심포지엄은 전 세계 3대 반도체 학회(VLSI·IEDM·ISSCC)의 포럼 중 하나다. 삼성전자 파운드리사업부의 임원이 3대 학회에서 기조연설에 나서는 것은 2018년 IEDM학회에서 정은승 전 파운드리사업부 사장이 기조연설 한 이후 약 3년 만이다. 매해 6월 미국 하와이와 일본 교토에서 번갈아가며 심포지엄을 개최하고 있다. 전 세계 산업·학계 전문가, 엔지니어, 과학자 등이 모여 최첨단 반도체 소자 및 회로 기술과 관련한 연구 성과를 발표하고 논의하는 자리로 올해다. 올해는 코로나19 여파로 지난 13일을 시작으로 19까지 온라인으로 개최된다.

차세대 파운드리 기술 주요 논문도 공개

삼성전자는 VLSI 심포지엄에서 기조연설 외에도 차세대 파운드리 기술과 관련된 4편의 주요 논문도 선보일 예정이다. △저전압에서 발생하는 셀의 간섭현상을 해결한 5G 모바일용 ‘5나노 저전력 SRAM 지적재산권(IP)’ △기존 5나노 공정 대비 저전압 특성을 극대화한 ‘초저전력 5나노 공정기술’ △저전압에서 빠른 읽기 속도를 구현한 ‘차량용 28나노 내장형 플래시메모리(eFlash) IP’ △세계 최고 내장형 MRAM(eMRAM) 집적도를 구현한 ‘28나노 비휘발성 램용 eMRAM IP’ 등 다양한 응용처별 IP와 공정 기술 등을 공개할 예정이다.

한편 최 사장에 이어 옴카람 나라마수 어플라이드 머티리얼즈 수석 부사장, 마츠오카 사토시 리켄 전산과학센터장 등도 발표자로 나선다. 나라마수 수석 부사장은 ‘반도체 제조의 소재부터 시스템까지, 그리고 그 너머’를, 마츠오카 사토시 센터장의 ‘최초의 엑사급 슈퍼컴퓨터와 그에 사용된 혁신적인 ARM CPU(중앙처리장치)’를 주제로 발표를 진행할 예정이다.