삼성전자, '고성능·고용량·저전력' 차세대 D램시장 선도

세계 최초 '20나노 8기가 DDR4 서버 D램' 양산 성공
PC·모바일 이어 서버용까지.. 20나노 D램 풀라인업 구축

등록 2014-10-21 오전 11:00:14

수정 2014-10-21 오전 11:00:14
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[이데일리 이진철 기자] 삼성전자가 PC와 모바일에 이어 서버용까지 20나노 D램 풀 라인업을 구축했다.

삼성전자(005930)는 21일 세계 최초로 20나노(1나노 : 10억분의 1미터) 8기가비트(Gb) DDR4 서버 D램 양산에 성공했다고 발표했다.

20나노 8기가비트 DDR4 서버 D램은 올해 하반기 DDR4 전용서버 CPU 출시에 맞춰 양산을 시작한 차세대 제품이다. 프리미엄 서버 시장에서 기존 DDR3에서 DDR4로의 전환을 주도할 차세대 D램 제품으로 평가받는다.

20나노 8기가 DDR4 서버 D램

삼성전자는 지난 3월 세계 최초로 20나노 PC용 D램 양산에 성공한 이후 현재까지도 유일하게 20나노 제품을 양산하고 있다. 지난 9월 모바일 D램에 이어 이번에 서버용 D램에도 20나노 공정을 적용하며 ‘20나노 D램 시대’를 주도할 풀 라인업을 구축했다.

20나노 8기가비트 D램 기반의 DDR4 서버용 모듈 제품은 기존 DDR3 기반의 모듈보다 약 30% 빠른 2400Mbps의 고성능을 구현하는 반면 동작 전압은 1.2볼트(V)로 DDR3의 1.5볼트보다 낮게 동작할 수 있어 소비 전력이 더 낮다.

삼성전자는 “기존 4기가비트 제품 기반으로는 최대 64기가바이트 용량의 모듈만 가능하다”면서 “하지만 이번 8기가비트 D램과 지난 8월 세계 최초로 양산을 시작한 TSV기술을 접목함으로써 최대 128기가 바이트의 모듈을 공급할 수 있게 됐다”고 말했다.

백지호 삼성전자 메모리사업부 상무는 “이번 20나노 8기가비트 DDR4 D램은 차세대 서버 시스템 구축을 위한 3가지 필요요소인 ‘고성능, 고용량, 저전력’ 특성을 모두 만족시킨 제품”이라며 “향후 20나노 D램의 비중을 지속 확대해 글로벌 고객의 수요 증가에 맞춰 최고 특성의 제품을 공급할 것”이라고 말했다.

삼성전자는 향후 PC용은 생산 효율이 높은 4기가비트, 모바일용은 패키지 크기를 줄이면서 칩의 적층 수를 줄일 수 있는 6기가비트, 서버용은 고용량의 8기가비트 D램 등 응용처에 따라 최적화된 다양한 용량의 제품을 통해 차별화함으로써 D램 시장을 이끌어 나간다는 계획이다.

△용어설명-TSV(실리콘관통전극, Through Silicon Via): 상단 칩과 하단 칩에 구멍을 뚫어 이를 수직 관통하는 전극을 연결하는 첨단 패키징 기술, 기존 방식(와이어)에 비해 속도, 소비전력을 개선할 수 있다.