인텔 "메모리 분야 판도 바꿔놓을 획기적인 신기술 개발"

낸드 출시 26년만에 새 메모리 카테고리 창조
속도와 내구성 1000배 뛰어나..용량 10배 향상
R&D 단계 넘어 생산 가능..연내 샘플링 예정

등록 2015-07-29 오후 3:06:03

수정 2015-07-29 오후 3:06:03
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[이데일리 성문재 기자] “마이크로프로세서 기술은 빠르게 진화했지만 스토리지 기술은 이를 따라오지 못해왔다. 새로운 비휘발성 메모리 기술 혁신은 메모리 및 스토리지 솔루션 분야의 업계 판도를 완전히 바꿔놓게 될 것이다.”

미국 인텔과 마이크론은 29일 서울 코엑스 인터컨티넨탈호텔에서 기자간담회를 열고 1989년 낸드 플래시가 소개된 이래 26년만에 최초로 등장한 새로운 메모리 카테고리인 3D 크로스 포인트 기술을 발표하며 향후 시장 변화를 예고했다.

3D 크로스 포인트 기술은 새로운 비휘발성(Non-volatile) 메모리 기술로 인텔과 마이크론이 지난 10년간 공동 개발에 나서 생산 직전 단계까지 개발하는 데 성공했다.

인텔 메모리 솔루션 그룹의 찰스 브라운 박사가 29일 서울 코엑스인터컨티넨탈에서 열린 인텔 메모리 기술 업데이트 기자간담회에서 3D 크로스 포인트 기술에 대해 소개하고 있다. 인텔코리아 제공.

인텔 메모리 솔루션 그룹의 찰스 브라운 박사는 이날 3D 크로스 포인트 기술에 대해 “수십년간 새로운 기술이 나오지 않았던 메모리 분야에서 돌파구가 될 획기적인 기술”이라고 강조하며 “3D 크로스 포인트가 향후 시장 판도를 바꿔놓게 될 것”이라고 자신했다.

이 기술은 낸드에 비해 1000배 빠른 속도와 1000배 증가한 내구성, 기존 일반 메모리보다 10배 향상된 용량 등을 자랑한다. D램의 빠른 속도와 낸드의 저렴한 가격, 전원이 없이도 저장이 가능한 장점들을 고루 갖췄다고 인텔 측은 소개했다.

브라운 박사는 “2008년도에 SSD 기술을 처음 소개했을 때 하드디스크에 접근하는 속도 단위를 밀리초(1000분의 1초)에서 마이크로초(100만분의 1초)로 단축시켰었다”며 “이번 기술 개발로 속도가 1000배 더 빨라지면서 나노초(10억분의 1초)로 또다시 단위가 바뀌게 됐다”고 설명했다.

이어 “트랜지스터가 없는 등의 원리는 기존에 발표됐던 기술과 유사하다고 볼 수 있지만 이 기술은 연구개발(R&D) 단계를 넘어 생산 가능하게끔 고도화해 선보였다는 점에서 지금까지 발표됐던 신기술들과 차별화된다”며 “인텔과 마이크론이 공동으로 개발한 소재가 적용됨으로써 이같은 것을 가능하게 했다”고 말했다.

인텔과 마이크론은 연내 3D 크로스 포인트 기술이 적용된 시제품을 생산할 예정이며 이 기술에 기반한 제품 개발은 양사가 별도로 진행중이다.

인텔에 따르면 전세계에서 매년 생성되는 데이터 양은 지난 2013년 4.4제타바이트(ZB)에서 2020년 44ZB로 증가할 전망이다.

3D 크로스 포인트 기술이 적용되면 소매업체들은 보다 빠르게 금융 거래에서의 위조 적발 패턴을 찾을 수 있다. 헬스케어 연구자들은 실시간으로 대용량 데이터를 처리하고 분석할 수 있어 유전 분석 및 질병 추적과 같은 복잡한 작업의 속도를 높일 수 있게 된다. 일반 PC를 사용하는 소비자들도 보다 빠르게 소셜미디어와 게임을 즐기는 것이 가능해진다.