삼성전자, IMT-2000용 S램 개발

삼성전자는 차세대 이동기기인 IMT-2000에 채용될 저전압 16M S램을 업계 최초로 개발했다고 25일 밝혔다. 이번 개발된 저전압 16M S램은 기존 휴대단말기에 적용되는 3V전압뿐 아니라 휴대성이 강조된 차세대 IMT-2000 등 첨단 통신기기에 적용될 1.8V 저 전압에서도 동작이 가능해 동화상 전송 등에 필요한 전력소모를 획기적으로 줄일 수 있다고 삼성측은 설명했다. 이 제품은 또"CSP(Chip Size Package)"방식의 하나인 TBGA(Tape Ball Grid Array) 패키지를 적용, 칩 크기를 기존 제품의 1/4로 줄이고 S램 제품과 플래시메모리 제품을 하나의 패키지로 묶을 수 있도록 설계해 단말기 크기를 획기적으로 줄일 수 있도록했다. 저전압 16M S램은 기존 제품 보다 2배 이상 빠른 32Bit 데이터 라인을 지원해, IMT-2000용 단말기의 인터넷 및 동화상 통신용 데이터의 고속처리가 가능하도록 한 제품이다. 삼성전자는 이번에 개발한 16M 저전압 S램 샘플 제품을 올 6월부터 출시해 IMT-2000용 단말기 및 고급형 휴대폰 시장을 선점하고, 2001년 2/4분기부터 본격 양산에 돌입, 휴대폰용 저전력 S램 반도체 시장을 주도할 계획이다. 삼성전자는 지난해 S램 부문에서 9억6천6백만불의 매출을 올려 5년연속 세계시장 1위를 고수하고 있으며, 저전력 16M S램 메모리 제품을 세계 최초로 개발하는데 성공함으로서 S램 시장의 주도권을 보다 확고히 하게 되었다.