퀄리타스반도체, ‘GAA 공정 IP 개발 등 협력방안’ 제시

[이데일리 이용성 기자] 퀄리타스반도체는 ‘삼성 SAFE™ 포럼 2023’에서 ‘초고속 인터페이스 IP, GAA 공정 IP 개발 협력 방안’을 발표했다고 4일 밝혔다.

(사진=퀄리타스반도체)

회사 측에 따르면 김두호 퀄리타스반도체 대표는 서울 코엑스 오디토리움에서 열린 포럼의 연사로 나서 퀄리타스반도체가 제공하는 ‘MIPI’, ‘PCIe’, ‘DisplayPort IP’들과 ‘100G SERDES’, ‘칩렛 인터페이스 IP’ 등 차세대 시스템 온 칩(SoC)을 위한 IP 솔루션, 그리고 GAA 공정으로의 준비 과정에 대한 내용으로 발표를 진행했다.

삼성 SAFE ™ 포럼은 파트너사가 직접 반도체 제품의 설계 및 생산에 필수적인 전자설계자동화(EDA) 설계자산(IP), 클라우드, 디자인, 패키지 등 각 분야의 솔루션을 설명하고 협의할 수 있는 기회를 제공하기 위한 행사다.

퀄리타스반도체 김두호 대표는 “FinFET과 같은 초미세 반도체 공정에서 SoC 개발 및 검증 비용이 엄청난 속도로 증가함에 따라, 신뢰성 높은 초고속 인터페이스 IP에 대한 요구는 더욱 높아지고 있다”라며, “GAA 기반 3nm 공정의 IP를 개발하고 서비스 품질을 유지하기 위해서는 반도체 IP 개발 기업의 기술 고도화가 반드시 필요하다”라고 말했다.

이어 “퀄리타스반도체는 국내 최대 규모의 초고속 인터페이스 IP 전문 기업으로서 국내 시스템 반도체와 파운드리 생태계 구축을 위해 기여하겠다”고 덧붙였다.