삼성전자, 4Gb DDR3 D램 세계 최초 양산

[이데일리 조태현 기자] 삼성전자(005930)가 세계 최초로 4Gb(기가비트) DDR3 D램 양산에 들어갔다.

삼성전자는 40나노급 공정을 적용한 4Gb DDR3 D램을 이달부터 양산한다고 24일 밝혔다.

삼성전자는 지난해 1월 50나노급 공정을 이용해 세계 최초로 4Gb DDR3 D램을 개발한 바 있다.

이번에 양산에 들어가는 4Gb DDR3 D램은 ▲서버용 32GB(기가바이트)·16GB 모듈 ▲워크스테이션·데스크 탑 PC용 8GB 모듈 ▲노트PC용 8GB 모듈 등 대용량 메모리 모듈 제품에 공급된다.

삼성전자는 4Gb DDR3 D램 기반의 대용량 모듈로 프리미엄 서버에서 고성능 노트PC까지 프리미엄 D램 시장을 창출해 나간다는 전략이다.

4Gb DDR3 D램 탑재 모듈은 기존 동일 용량의 모듈 제품과 비교하면 소비 전력이 35%가량 절감된다. 또 데이터 처리 속도를 최대 1.6Gbps(Gigabit per Second)로 높였다.

전동수 삼성전자 반도체사업부 메모리전략마케팅팀장 부사장은 "4Gb DDR3 D램 양산으로 다양한 소비자의 요구를 맞출 수 있게 됐다"며 "서버·PC 모두 만족할 수 있는 고성능·저전력 메모리 솔루션을 지속적으로 공급할 것"이라고 말했다.

삼성전자는 이번 4Gb DDR3 D램 양산과 함께 40나노급 D램 비중을 적극적으로 확대한다는 계획이다. 서버·PC용으로 공급하는 D램 중 40나노급 제품의 비중을 상반기에 90% 이상까지 끌어올릴 예정이다.


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