차세대 HBM 과시한 삼성·SK…엔비디아 GTC서 승자는

[이데일리 최영지 기자] 지난 18~21일(현지 시간) 미국 캘리포니아주 새너제이 SAP센터에서 열린 엔비디아 연례 개발자 콘퍼런스인 ‘GTC 2024’에선 이번 행사가 인공지능(AI) 시장에서의 엔비디아 입지를 재확인한 자리라는 평가가 나왔다. 전 세계 빅테크가 모여 AI 기술을 총망라하며 저마다 내공을 드러냈다. 그중에서도 엔비디아 주력제품인 그래픽처리장치(GPU)에 필요한 고대역폭메모리(HBM) 등 AI용 메모리반도체를 만드는 삼성전자와 SK하이닉스는 미래 기술, 제품 성능을 공개하며 글로벌 주요 메모리기업으로서 입지를 다졌다.

젠슨 황 엔비디아 CEO가 ‘GTC 2024’ 삼성전자 부스를 찾아 HBM3E 12H 제품에 사인을 했다. (한진만 삼성전자 부사장 SNS 갈무리)

메모리 3사, 고객사 안방서 ‘5세대 HBM’ 기술경쟁 치열

삼성전자(005930)는 GTC 2024에서 전시 부스를 꾸려 5세대 HBM3E 12H(12단 적층) 제품을 첫 공개했다. 지난달 말 이 제품을 업계 최초로 36GB(기가바이트) HBM3E 12H D램 개발에 성공했다고 밝힌 데 이어 실물을 내놓은 것으로 엔비디아 납품 가능성을 높였다.

젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)는 20일 삼성전자 전시 부스를 찾아 이 제품에 대해 ‘젠슨 승인’(JENSEN APPROVED)라는 사인을 남긴 것이 긍정적인 메시지로도 해석됐다.

삼성전자 HBM3E는 1024개의 입출력 통로(I/O)에서 초당 최대 1280GB의 대역폭과 현존 최대 용량인 36GB를 제공하는 제품이다. 이미 샘플을 고객사에 제공하기 시작했으며 올해 상반기 양산할 예정이다.

경쟁사인 SK하이닉스(000660)도 엔비디아 전시 부스에서 HBM3E 12H(36GB) 샘플을 선보였다. 아직 개발이 완료된 상태는 아닌 것으로 전해진다. 또 GTC 개막에 발맞춰 HBM3E 8H 신제품 양산 소식을 알렸다. 지난해 8월 HBM3E 개발을 알린 지 7개월 만으로 엔비디아 공급을 본격화한다.

황 CEO는 행사 중 진행한 미디어 행사에서 “삼성전자와 SK하이닉스는 대단하다”며 “HBM은 단순한 메모리가 아니며 기적과 같은 기술”이라고도 극찬한 만큼 우리 메모리업체들의 기술력을 공론화했다. 이런 가운데 삼성전자와 SK하이닉스는 각기 다른 기술 차별성을 강조하며 신경전도 지속 중이다.

한편 마이크론도 24GB 용량의 HBM3E 8H 제품을 올해 2분기 출하할 것이라며 엔비디아 ‘H200’에 탑재하겠다고 밝혔다.

엔비디아 ‘GTC 2024’ 전시장 전경. (사진=독자 제공)

블랙웰 공개로 차세대 HBM 이목…CXL 기술 발표

이번 행사에서 황 CEO가 HBM3E가 들어가는 기존 GPU인 H100를 잇는 제품인 ‘블랙웰’(B200)을 공개한 만큼 메모리 3사의 차세대 HBM 경쟁은 더욱 격화할 것으로 보인다. 차세대 AI인 블랙웰은 기존 호퍼 아키텍처(프로세서 작동방식)를 대체한다.

SK하이닉스는 HBM3E 기술과 함께 HBM4 기술 로드맵을 공개했다. HBM4 대역폭은 HBM3E 대비 1.4배 확장되고 전력 효율은 0.7배 개선된다는 게 회사 설명이다.

HBM을 이어 차세대 반도체로 꼽히는 컴퓨트 익스프레스 링크(CXL)와 지능형 반도체(PIM) 기술개발 현황도 소개됐다. AI 도입 확대로 빅테크들은 거대언어모델(LLM)을 진화시켜야 하고 메모리를 늘려야 하는 상황이다.

삼성전자의 데이비드 매킨타이어 제품기획 및 사업지원 이사는 발표 세션을 통해 ‘데이터 센트릭 컴퓨팅을 위한 CXL’ 주제로 자사 CXL 기술 현황을 소개했다. 소개된 ‘CMM-H’는 CXL 기반 메모리 제품 중 하나로, D램과 낸드플래시를 함께 사용했다는 의미의 하이브리드 제품이다. 매킨타이어 이사는 “CMM-H를 통해 성능과 비용, 지속가능한 솔루션 등의 이점을 누리길 바란다”고 강조했다.