SK하이닉스, TSMC와 손잡고 '고객 맞춤형 HBM' 개발 집중

[이데일리 최영지 기자] SK하이닉스(000660)가 대만 TSMC와 손잡고 오는 2026년 양산 예정인 HBM4(6세대 HBM)를 개발한다. 맞춤형 HBM 등 차세대 HBM 생산과 어드밴스드 패키징 기술 역량 강화에 양사가 긴밀히 협력한다는 의미다.

SK하이닉스 이천 반도체공장 전경(사진=SK하이닉스)

SK하이닉스(000660)는 최근 대만 타이페이에서 TSMC와 기술 협력을 위한 양해각서(MOU)를 체결했다고 19일 밝혔다.

SK하이닉스는 “당사는 파운드리 1위 기업 TSMC와 힘을 합쳐 또 한번의 HBM 기술 혁신을 이끌어 내겠다”며 “고객-파운드리-메모리로 이어지는 3자간 기술 협업을 바탕으로 메모리 성능의 한계를 돌파할 것”이라고 했다.

양사는 우선 HBM 패키지 내 최하단에 탑재되는 베이스 다이 성능 개선에 나선다. HBM은 베이스 다이 위에 D램 단품 칩인 코어 다이를 쌓아 올린 뒤 이를 TSV 기술로 수직 연결해 만들어진다. TSV 기술은 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 상호연결 기술이다. 베이스 다이는 그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행한다.

SK하이닉스는 5세대인 HBM3E까지는 자체 공정으로 베이스 다이를 만들었으나, HBM4부터는 로직 선단 공정을 활용할 계획이다. 이 다이를 생산하는 데 초미세 공정을 적용하면 다양한 기능을 추가할 수 있기 때문이다. 회사는 이를 통해 성능과 전력 효율 등 고객들의 폭넓은 요구에 부합하는 맞춤형 HBM을 생산한다는 계획이다.

이와 함께 양사는 SK하이닉스의 HBM과 TSMC의 CoWoS 기술 결합을 최적화하기 위해 협력하고, HBM 관련 고객 요청에 공동 대응하기로 했다.

김주선 SK하이닉스 AI Infra담당(사장)은 “TSMC와의 협업을 통해 최고 성능의 HBM4를 개발하는 것은 물론 글로벌 고객들과의 개방형 협업에도 속도를 낼 것”이라고 했다.

케빈 장 TSMC 수석부사장은 “TSMC와 SK하이닉스는 수 년간 견고한 파트너십을 유지하며 최선단 로직 칩과 HBM을 결합한 세계 최고의 AI 솔루션을 시장에 공급해 왔다”며 “HBM4에서도 양사는 긴밀하게 협력해 고객의 AI 기반 혁신에 키(Key)가 될 최고의 통합 제품을 제공할 것”이라고 했다.