곽노정 "내년 HBM도 '매진'…HBM3E 12단 3분기 양산"

SK하이닉스 'AI 비전과 전략' 기자간담회
"28년 AI 메모리 시장, 전체 61% 넘게 차지"
"AI 반도체 경쟁력…D램 기술, 투자력 바탕"
  • 등록 2024-05-02 오후 1:37:18

    수정 2024-05-02 오후 1:52:05

[이천=이데일리 조민정 기자] “올해도 저희 고대역폭메모리(HBM)는 솔드아웃(매진)이지만 내년에도 대부분 솔드아웃 됐습니다. 세계 최고 성능의 HBM3E 12단 제품을 이번 달 샘플 제공하고 올해 3분기에 양산 가능하도록 준비 중입니다.”

곽노정 SK하이닉스(000660) 사장이 인공지능(AI) 열풍으로 도래한 ‘반도체 호황기’를 강조하며 자사의 경쟁력에 대해 이렇게 말했다. 곽 사장은 “HBM 시장은 기존과 달라서 고객 수요를 기반으로 투자 집행하는 측면이 강해 과잉투자를 억제할 수 있다는 특징이 있다”며 HBM 공급 과잉 우려도 불식했다.

SK하이닉스 곽노정 대표이사 사장이 2일 이천 본사에서 ‘AI시대, SK하이닉스 비전과 전략’을 주제로 기자 간담회를 진행하고 있다.(사진=SK하이닉스)
매출 몇 조 달러로 성장 …2028년 AI 메모리 규모 61%↑

SK하이닉스는 2일 경기 이천 본사에서 ‘AI 시대, SK하이닉스 비전과 전략’을 주제로 기자간담회를 열고 △AI 메모리 기술력 및 시장 현황 △청주·용인·미국 등 미래 주요 생산거점 관련 투자 계획을 밝혔다. 이날 간담회는 2027년 5월 예정된 용인 클러스터 첫 팹 준공을 3년 앞두고 마련됐다.

곽 사장은 모두발언에서 “‘제너러티브(Generative) AI’ 매출이 수년 내 몇 조 달러로 성장할 것으로 예상하고 수십억 명이 사용하는 시장으로 성장할 것”이라며 “현재 데이터센터향 AI는 향후 스마트폰, PC, 자동차 등 온디바이스 AI향으로 빠르게 확산할 것으로 전망한다”고 내다봤다.

이어 “내실 있는 질적 성장을 위해 D램과 낸드플래시의 원가 경쟁력을 강화하고 고수익 제품 중심으로 판매를 늘려 수익성을 지속적으로 높이겠다”며 “변화하는 수요 환경에 유연하게 대응하고 캐시 수준을 높여서 재무 건전성을 제고할 계획”이라고 덧붙였다.

SK하이닉스에 따르면 지난해 AI 메모리 시장은 전체 메모리 시장 중 5%에 불과했지만 오는 2028년에는 전체 시장의 61% 이상을 차지할 예정이다. 김주선 SK하이닉스 AI인프라 담당 사장은 “2023년은 AI 메모리 시장의 태동기 정도로 시장 규모가 크진 않았다”며 “현재 메모리 수요 자체가 PC, 스마트폰 등으로 지속 확대되면서 속도가 아주 빠르게 진행되고 있다”고 설명했다.

(왼쪽부터) 류병훈 부사장(미래전략 담당), 최우진 부사장(P&T 담당), 김영식 부사장(제조기술 담당), 김주선 사장(AI Infra 담당), 곽노정 대표이사 사장, 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김우현 부사장(CFO), 김종환 부사장(D램개발 담당).(사진=SK하이닉스)
“HBM 경쟁력, 적극적 D램 투자 산실…용인·美서 ‘HBM4’ 양산

SK하이닉스는 현재 HBM 시장을 이끄는 기술력을 두고 과거부터 이어진 D램 투자의 결실이라고 강조했다. 곽 사장은 “AI 반도체 경쟁력은 한순간에 확보할 수 있는 게 아니다”며 “SK하이닉스가 SK그룹에 편입된 2012년 당시 메모리 업황이 좋지 않아 대부분 반도체 기업들이 투자를 10% 줄였지만 SK그룹은 투자를 늘렸다”고 설명했다.

그러면서 “그 결과 HBM을 최초 개발하는 성과를 냈고 이후 지속적인 연구개발과 더불어 고객, 파트너사들과 협업이 긴밀하게 이뤄졌다”며 “AI 반도체는 기존 범용 반도체의 기술역량에 더해 고객 맞춤형으로 협력이 중요한데 최태원 SK그룹 회장의 글로벌 네트워킹이 큰 역할을 했다”고 답했다.

SK하이닉스는 용인 클러스터와 미국 애리조나주에 건설하는 신규 팹을 바탕으로 제품 생산능력을 높일 방침이다. 김영식 SK하이닉스 제조·기술 담당 부사장은 “(용인 클러스터) 공사는 현재까지 순조롭게 진행되고 있으며 2027년 5월 첫 팹을 오픈하고 2028년 1분기 양산할 예정”이라며 “미니팹을 첫 팹에 조성해 개발 초기부터 양산성 평가 등을 실시할 것”이라고 했다.

최우진 SK하이닉스 P&T 담당 부사장도 “미국 인디애나주는 실리콘 하트랜드(심장부)로 새롭게 부상하는 지역”이라며 “지난달 인디애나주 사이트를 확정했고 2028년 HBM4 양산을 목표로 제품 생산뿐 아니라 첨단패키지 R&D(연구개발) 라인 구축까지 계획하고 있다”고 말했다.

(왼쪽부터) 김주선 사장(AI Infra 담당), 곽노정 대표이사 사장, 안현 부사장(N-S Committee 담당), 김우현 부사장(CFO).(사진=SK하이닉스)


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