NEC등 日반도체 업체 차차세대 반도체 공동개발

일본의 NEC, 도시바 등 대규모 반도체 업체들이 2001년부터 정부가 계획하고 있는 차차 세대 반도체 기반기술개발 프로젝트에 공동으로 참가키로 했다고 대한무역투자진흥공사(KOTRA)가 1일 밝혔다. 이에따라 일본 반도체 업체들은 2007년까지 7년간 70∼50나노미터(0.07∼0.05마이크로미터)의 초미세 디바이스를 실현하기 위한 신재료, 프로세스기술 및 계측, 해석기술 등을 확립해 나갈 계획이다. 정보통신기기의 기능을 비약적으로 향상시키기 위해서는 고집적, Low Power 시스템 LSI 개발이 불가결하며 이를 위해 반도체 업계뿐 아니라 일본의 산업경쟁력 강화를 향해 산학관이 일체가 되어 차차 세대 반도체 기반기술을 공동 개발한다는 방침아래 일본 통산성은 내년 예산안에 45억엔의 연구개발비를 요구하고 있다. 연구개발기간은 7년간으로 2004년까지 테크놀러지 노드 70나노미터, 2007년까지 50나노미터의 반도체 디바이스를 실현하기 위해 필요한 기반기술개발을 추진한다. 이들 초미세 영역은 기술적으로 해결되지 않은 부분도 많아 정부 프로젝트로 착수하게 되었다. 또한 통산성은 내년 예산안에 실용화개발 보조사업으로 첨단 디바이스 프로세스장치 기술개발에 7억엔(연구개발 기간은 테마당 3년 이내), 다품종 소량생산에 적합한 에너지 절약형 반도체 제조 시스템 기술개발에 8억엔(연구개발기간 3년)을 요구하고 있어 총액은 60억엔이 된다. 구체적인 공동연구에 관해서는 통산성으로부터 위탁받은 신에너지, 산업기술 종합개발기구(NEDO)가 공모한다. 국립대학 연구원들을 모집한 차세대 반도체개발 연구조직을 중심으로 해 96년에 설립된 기술연구조합인 최첨단 전자기술개발기구(ASEF)를 주축으로 한 수십개의 민간업체가 공동개발에 착수할 공산이 크다고 KOTRA는 전했다. NEC, 도시바, 히다치제작소 등 대규모 일본 반도체 11개사는 내년 4월부터 민간기업에 의한 반도체첨단기술 공동개발 아스카 프로젝트를 시작한다. 5년간 총액 760억엔의 연구개발비를 투입해 2005년 이후에 실용화될 것으로 보이는 100∼70나노미터(0.10∼0.07마이크로미터)의 System On Chip(SOC) 실현을 향한 설계기술, 디바이스 프로세스 기술개발을 지향한다. 일본 정부의 프로젝트는 더 나아가 그 이후 기술도 염두에 두고 있는 것으로 알려졌다.