이번 제품은 20나노급 3비트 낸드플래시를 기반으로 한다. 성능은 최저 쓰기 속도가 10MB/s에 달하는 클래스 10이다. 현재 시장에서 구매할 수 있는 마이크로SD 카드 대부분은 클래스 4 수준이다.
이 제품은 기존 30나노급 3비트 낸드플래시 32GB 마이크로SD 카드에 비해 두 배 빠른 초당 12MB의 쓰기 속도를 자랑한다. 생산성 역시 30% 이상 높였다고 삼성전자는 설명했다.
홍완훈 삼성전자 반도체사업부 메모리담당 부사장은 "신제품은 최근 출시되고 있는 4세대 스마트폰 등에 적합한 속도를 구현한다"며 "소비자에게 대용량 메모리카드의 효용성을 제공할 것"이라고 말했다.
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