삼성전자 "낸드플래시 성장 가파르다"(종합)

[edaily 하정민기자] 삼성전자(05930)는 세계 최초로 70나노 4기가 낸드(NAND) 플래시메모리를 개발했다고 29일 발표했다. 삼성전자는 이 제품이 언제든지 양산에 들어갈 수 있을 정도의 수준이라고 밝혔다. 또 80나노 512메가 DDR D램 양산기술을 확보하는 한편, 기존 낸드 플래시와 노어 플래시 장점을 모두 갖춘 신개념 "퓨전(Fusion) 메모리"를 출시한다고 밝혔다. 삼성전자는 이날 신라호텔에서 가진 메모리 사업전략 발표회에서 이같이 밝히고 "3분기 본격 가동중인 300mm웨이퍼 전용 12라인에서는 D램과 플래시메모리를 같이 생산할 계획"이라고 말했다. 삼성전자는 이번 "70나노 4기가 낸드 플래시 개발"이 반도체 저장매체 실용화 추세를 가속화 해 "디지털 미디어"시대 도래를 더욱 재촉할 것이라 설명했다. 황창규 메모리사업부 사장은 "궁극적으로는, 기존의 테이프와 CD 등을 대신할 플래시메모리 카드가 디지털 및 스토리지 분야의 혁명을 주도할 것"이라고 말했다. 이번에 삼성전자가 세계 최초로 개발한 70나노 플래시 공정의 경우, 세계 최소 0.025㎛²메모리 셀 사이즈 실현하고 스피드를 혁신적으로 개선했다. 최근 삼성이 업계 최초로 양산에 돌입한 2기가 낸드 플래시에 70나노 공정을 적용할 경우, 90나노 공정 적용과 비교해 50% 이상 생산성이 향상될 것으로 기대된다. 삼성전자는 낸드 플래시 매출이 "지난 2001년 4억달러, 2002년 11억달러에 이어 올해도 70% 이상의 성장세를 보일 것으로 전망하고 있다. 황창규 사장은 "이미 플래시메모리로 전환한 6,7,8라인 외에 추가로 기존 D램 라인을 플래시메모리 라인으로 전환할 계획은 없다"면서 "300mm웨이퍼 전용 12라인에서는 D램과 플래시 혼용비율을 더 높여 나갈 것"이라고 말했다. 그는 또 "낸드 플래시 수율이 50%라는 일부 소문은 전혀 사실무근"이라면서 "정확한 수율을 밝힐 순 없지만 전 제품라인이 골든 수율이라고 할 수 있는 80%를 넘어서고 있다"고 말했다. 삼성전자가 이번에 함께 발표한 80나노 공정기술을 적용한 512메가 DDR D램은 삼성이 작년 90나노 양산기술 확보 이후 불과 1년만에 개발 완료한 최첨단 제품이다. 이 제품은 이미 개발 완료된 90나노 공정과의 기술 연속성을 유지, 추가 투자를 최소화 했으며 웨이퍼 당 칩수의 증가로 현 주력공정인 0.10㎛ 공정 대비 90% 이상의 획기적 생산성 향상도 가능하다고 회사는 설명했다. 이 제품은 2005년 하반기부터 양산에 적용될 예정이다. 이를 통해 2006년 시장주력으로 예상되는 1기가 및 512메가 D램 시장은 물론, 3Gbps 이상 고성능 D램 등 점차 다양화되는 D램 응용시장에서 삼성 독주체제의 지속이 확실시 되고 있다고 회사는 강조했다. 황 사장은 이어 "70나노 기술은 300mm웨이퍼 전용라인인 12라인에 먼저 적용한 후 이어 8라인에 적용할 것"이라고 말했다. 그는 "현재 삼성전자는 플래시메모리 월 주문량의 45%정도 밖에 공급해주지 못하고 있다"면서 "앞으로 몇년간 플래시메모리의 폭발적 성장이 가능할 것이며 낸드 플래시메모리 품귀 현상이 적어도 수년내에는 사라지지 않을 전망"이라고 밝혔다. 황 사장은 또 "낸드 플래시 성장세가 업계 예상보다 더 가파르게 진행될 것"이라고 전망했다. 삼성전자는 아울러 이번 발표회에서 "신개념 512메가 퓨전(Fusion)메모리"의 본격 양산도 발표했다. 이 제품은 NAND 플래시, S램 등 기존의 메모리와 로직 대비 상대적으로 저렴한 메모리공정 적용 로직 회로를 하나의 칩에 구현한 제품이다. 황 사장은 "앞으로 가격경쟁력 및 타임투마켓(Time-to-Market)의 우위를 앞세워 휴대기기에 사용되어 온 노어(NOR) 플래시를 주로 대체할 것으로 전망된다"고 말했다. 이번 제품은 동일한 집적도의 낸드형 플래시 대비 칩 사이즈를 대폭 감소시켜 원가 경쟁력을 확보했다. 또 기존 낸드 플래시와 동일한 장비로 생산, 추가투자에 대한 부담도 최소화했다. 한편 삼성전자는 300㎜ 전용라인과 관련, "12라인을 올 3분기부터 본격 가동 중이며, 특히 12라인에서는 플래시 메모리와 D램을 동시에 생산할 계획" 이라고 설명했다. 삼성전자는 현재 D램 대 플래시 비중이 65% 대 27% 정도이나 내년에는 50 대 50수준에 근접할 것이라고 밝혔다. 황사장은 "인텔이 65나노 기술적용 제품을 개발했다고 하는데, 테스트용으로 추정된다"면서 "90나노 적용도 인텔이 우리보다 훨씬 뒤졌으며, 우리의 70나노 기술은 바로 양산적용이 가능해 경쟁사 기술과 다르다"고 말했다. 그는 "세계 반도체업체중 낸드의 대용량과 노어의 스피드를 갖춘 제품을 생산할 수 있는 업체는 삼성전자가 유일하다"고 강조했다. 황 사장은 "올 연말까지 전 생산라인 중 100나노(0.10㎛) 이하 공정기술 적용라인이 70%를 넘을 것"이라면서 "70나노 기술은 300mm웨이퍼 전용라인인 12라인에 먼저 적용한 후 이어 8라인에 적용할 것"이라고 말했다.