"삼성전자 반도체 전략 보도자료 전문"

[edaily 김세형기자] 삼성전자(005930), 세계최초 60나노 8기가 반도체시대 개막 ○ 최첨단 반도체 나노기술 絶對强者 登極 - (4년 연속 세계최초 적용, "01년 100나노 →"02년 90나노 →"03년 70나노 →"04년 60나노) ○ 5년 연속 집적도 年 2倍 증가 실현으로 "메모리 新成長論" 完全 定着 - ("99년 256Mb→ "00년 512Mb→ "01년 1Gb→ "02년 2Gb→ "03년 4Gb→ "04년 8Gb) ○ "퓨전 메모리" 사업 본격 확대, 삼성전자 차세대 성장엔진으로 育成 - ○ "메모리 新成長論"이 "반도체 新成長"으로 확산 中, "메모리-시스템 LSI 동반성장" 基盤 構築 - ○ 業界 唯一 모바일 종합반도체 업체로 跳躍 宣言 - □ 세계 최초 60나노 8기가(Gb) 낸드플래시 개발 - 업계 최초 次世代 極限技術인 60나노 기술 商用化 -"99년 이후 5년 연속 "메모리 新成長論" 立證 - 16기가 Byte급 Memory Card 製作 가능 (MP3 파일 4,000곡(340시간) / DVD級 영화 10편(16시간) / 신문 102만 4000장 저장) - 다양한 혁신적 모바일 기기 登場 加速化 牽引 - 2Gb 낸드플래시: 월판매 1천만개 돌파 ("04년 9월 현재) 4Gb 낸드플래시: 세계최초 양산 돌입 ("05년 1분기) - 次世代 플래시시장 先占 및 獨走 지속 예상 □ 세계 최초 80나노 2기가(Gb) DDR2 D램 개발 - 80나노 공정으로 업계 최대용량 제품 개발 - 64메가에서 2기가 D램에 이르기까지 6세대 連續 業界最初 開發 (64Mb, 128Mb, 256Mb, 512Mb, 1Gb, 2Gb) -"05년 量産 開始, 高性能 서버向 고부가가치 D램 市場 獨走 예상 □ 세계 최고속 667㎒ 모바일 CPU 개발 - 2年 연속 世界 最高速 모바일 CPU 개발 성공 ("03년 533MHz → "04년 667MHz) - 3차원 그래픽 표현에 적합한 초정밀 데이터 처리用 부동소수점 연산기능 同時 支援 - SoC 분야 기술리더십 持續 强化 計劃 □ 업계 유일의 모바일 종합반도체 업체로 도약 선언 - "메모리 新成長論" 完全 定着 - "메모리-시스템 LSI 同伴成長 모델" 深化·發展 - 시스템 LSI 분야 DDI 제품 세계 1位에 이어, "07년까지 모바일 CPU, CIS, 스마트카드 칩 等 모바일向 시스템 LSI 3個 제품 세계 1位 育成 - 業界 唯一의 "모바일 Total Solution 업체" 등극으로 모바일 根幹 "반도체 新成長" 牽引 Ⅰ. 報道資料 要約 □"메모리 新성장론"을 앞세우며 全세계 메모리 반도체 시장을 席卷하고 있는 삼성전자(대표: 윤종용 부회장)는 20일 호텔신라 다이너스티 홀에서 삼성전자 반도체총괄의 올해의 대표적인 연구개발 成果를 발표하였다. □ 특히, 작년까지 삼성전자 메모리사업부만을 담당했던 황창규 社長이 올해초 반도체총괄 社長으로 就任한 後 처음으로 開催되는 기자간담회라는 点에서 이번 行事는 더욱 注目을 받았다. □ 이날 간담회에서 황사장은, 「세계 최소 선폭 60나노 기술 商用化한 8기가 낸드플래시 개발」, 「세계 최대 용량 80나노 2기가 DDR2 D램 개발」및 「세계 최고속 667MHz 모바일 CPU 개발」等을 同時에 발표하였다. □ 우선, 메모리 부문의 8기가 낸드플래시 및 2기가 DDR2 D램 개발 성공을 통해 삼성전자가 거둔 성과를 요약하면 다음과 같다. ⓛ 세계 최초 60나노 기술 商用化 성공은 "技術을 重視" 하는 삼성전자의 꾸준한 연구개발 투자의 결실 임은 물론, 삼성전자가 반도체 나노기술의 絶對 强者임을 확인시켜 주었으며, ("01년 100나노 → "02년 90나노 → "03년 70나노 → "04년 60나노) 註) 60나노: 머리카락 두께 2천분의 1 정도의 회로선폭 8기가 : 손톱만한 칩 안에 81억 9천만개의 트랜지스터를 집적한 용량 ② 메모리 카드向 8기가 낸드플래시 개발을 통해, 每年 집적도가 1年에 2倍 增加한다는 "메모리 新成長論"을 5년 연속 實現, 이 理論이 메모리 반도체산업에 完全 定着 되었음을 立證하였고, ("99년 256M → "00년 512M → "01년 1G → "02년 2G → "03년 4G → "04년 8G) ③ 서버/워크스테이션向 2기가 DDR2 D램 개발 성공을 통해서는, 삼성전자가 "92년 세계 최초로 64메가 D램을 개발, 이 분야 세계 1位 登極 以後 현재는 물론, 앞으로도 후발업체가 감히 추월할 수 없는 D램 분야 不動의 1位 유지가 확실함을 다시 한번 증명하였다. ("92년 64M → "94년 256M → "96년 1G → "98년 128M → "01년 512M → "04년 2G) □"02.2월 "반도체의 올림픽" 이라고 불리우는 "국제반도체학회 (ISSCC)" 總會에서 황창규 社長이 기조연설을 통해, 旣存의 "무어의 법칙"을 뛰어넘는 "메모리 新成長論"을 最初로 提示할 當時만 해도 많은 반도체 전문가들은 半信半疑 하였다. "01년의 극심한 반도체 불황을 겪고 난 直後였기 때문이다. "99년 256메가 개발 以後 올해 8기가 개발 성공에 이르기까지 5년 연속 입증된 "메모리 新成長 理論"이 더욱 注目받고 있는 理由의 一端도 여기에 있다. 當時 황사장은 메모리 수요처의 급격한 變化도 예견한 바 있는데, IT 산업은 과거 PC 중심으로 성장하였으나, 2000년대 부터는 모바일 및 디지털 컨수머가 주도할 것이며, 이에 따라 메모리 역시 旣存의 PC向 D램은 물론, 모바일 및 디지털 컨수머向 D램 및 낸드플래시가 시장을 주도해 나간다는 것이 주요 내용이었다. 그 당시의 예측은 지금 그대로 맞아 떨어지고 있음을 알 수 있다. □ 또한, 삼성전자는 메모리의 차세대 成長엔진으로 메모리와 로직을 融複合한 "퓨전 메모리"를 선정하였다. 올해부터 사업이 본격 확대되고 있는 "퓨전 메모리"의 첫번째 제품인 OneNANDTM 는 낸드플래시의 低原價 構造를 가지고 있으면서도, 노어플래시의 高速 動作이 가능한 장점을 가지고 있는 同時에 로직 기능까지 탑재, 주로 고성능 휴대폰, PDA, 디지털-TV 等에 채용되고 있다. □ 한편, 시스템 LSI 부문의 世界 最高速 667MHz 모바일 CPU 개발 성공 발표를 통해 삼성전자는, 메모리는 물론, 시스템 LSI 분야 "모바일 成長엔진"도 철저히 준비, "메모리 新成長論"의 연장선상에서 서서히 胎動하고 있는 모바일 根幹의 "半導體 新成長"도 삼성전자가 主導할 것임을 선언하였다. □ 삼성전자가 "07년까지 시스템 LSI 5大 일류화 제품군으로 집중 육성하고 있는 제품은 현재 세계 1위 제품인 디스플레이 구동칩(DDI)을 포함, CMOS 이미지센서(CIS), 모바일 CPU, 칩카드 IC, 옵티컬 플레이어 SoC 等인데 실제로 이들 中 옵티컬 플레이어 SoC를 제외하고는 모두 모바일向 제품이다. □ 결국, 삼성전자 반도체는 이제까지의「메모리-시스템 LSI 獨自 成長 모델」에서 탈피, 이미 獨步的인 競爭力을 가지고 있는 메모리와 협력, 시스템 LSI도 함께 성장하는 이른바「메모리- 시스템 LSI 同伴成長 모델」을 더욱 深化·發展시킬 계획임을 공식적으로 천명한 것이다. □ 삼성전자의 올해 상반기 반도체 매출은 前年 同期 對比 80% 성장으로 업계 최고성장을 실현하였는데, 이는 불황下에서도 과감한 투자를 통해, ⓛ 차세대 기술 선점을 위한 지속적인 연구개발 ② 生産能力 極大化로 절대 우위의 원가경쟁력 확보 等이 바탕이 되고 있는 것으로 분석된다. □ 이 外에도, 미래시장에 대한 정확한 예측 및 철저한 준비, 미래 주력제품의 早期 발굴, 한계기술 극복을 위한 지속적인 노력 等을 성공의 요체로 꼽은 황사장은, 앞으로도 삼성전자 반도체는 現 위치에 자만하지 않고, 미래 모바일 중심의 반도체 시장에서도 주도권을 더욱 강화, 數年內 世界 最頂上의 반도체 업체로 우뚝 설 수 있을 것임을 강조하였다. Ⅱ. 製品別 詳細 報道資料 < 60나노 8기가 낸드플래시 개발 > □ 삼성전자는 20일 기자간담회를 열고, 삼성전자가 세계 최초로 60나노 8기가 낸드플래시 메모리 개발에 성공했다고 밝혔다. □ 지난해 9月 기자간담회時 70나노 4기가 낸드플래시 개발을 발표, "99년 이후 4년 연속 年 2倍의 집적도 증가를 입증한 삼성전자는 올해도 작년의 2倍인 8기가 낸드플래시 개발을 발표함으로써 "02년 황사장이 ISSCC 기조연설時 전망했던 대로 "메모리 新成長論" 이 반도체산업에 完全히 定着되고 있음을 보여 주었다. □ 나노기술은 선진 각국에서 次世代 핵심사업으로 선정, 육성中인 기술로 지난 "01년 삼성전자가 100나노 기술을 세계 최초로 성공시키며 반도체 分野에 적용된 바 있는데, 이미 반도체 技術 競爭에서 확고한 리더쉽을 확보하기 위한 必須 技術로 자리잡고 있으며, 背後에서 "메모리 新成長論"을 가능케 한 것 역시 바로 나노기술이다. □ 삼성전자는 "01년 100나노, "02년 90나노, "03년 70나노, 올해 60나노에 이르기까지 4년 연속 各 世代 나노기술의 世界 最初 적용에 성공한 유일한 會社로 기록됨으로써 "나노기술 絶對强者"에 登極, 후발기업과의 격차가 더욱 확대될 전망이다. □ 머리카락 두께 2천분의 1에 해당하는 最尖端 60나노 기술이 세계 최초로 반도체에 적용된 금번 8기가 낸드플래시는 작년에 개발한 70나노 4기가 플래시 對比 용량은 2倍로 증가 했으나, Cell Size는 오히려 1/3로 감소한 획기적 제품으로, ① 세계 최소 0.0082㎛²/bit Cell 크기 실현 ② 60나노 최소선폭 기술 접목을 통한 세계 최대용량 메모리 실현 ③ 차세대 16기가 이상 超大容量 기반 확보 ④ Cell間 간섭 최소화 기술 개발 → 3차원 Cell Tr. 구조 및 저유전율 Gate 층간 절연막 기술 ⑤ Lithography의 업그레이드 없이 Bit Cost 50% 감소 等 기술 및 생산부문의 획기적 成果가 기대되고 있어 앞으로도 大容量 낸드플래시가 디지털 저장기기 분야의 가장 强力한 솔루션(Solution)이 될 것임을 다시 한번 立證하였다. □ 금번 8기가 낸드플래시 관련 기술논문는 올해 12월 반도체 3大 학회 中 하나인 IEDM (International Electron Device Meeting)에서 公式 發表될 예정인데, □ 삼성전자의 이번 개발 성공으로 작년 70나노 낸드플래시 개발 當時 1년 정도였던 경쟁사와의 격차가 더욱 확대될 것으로 보인다. □ 한편, 삼성전자의 금번 "60나노 8기가 낸드플래시 개발"은 반도체 저장매체 실용화 추세를 加速化, "Digital Media" 시대의 到來를 더욱 재촉함으로써 궁극적으로는, 旣存의 테이프, CD, 소형 HDD 等을 代身한 플래시 메모리카드가 디지털 및 스토리지 분야의 革命을 지속적으로 주도할 것으로 전망된다. □ 즉, 8기가 낸드플래시 제품으로 최대 16기가 바이트의 메모리카드 製作이 가능해 디지털 캠코더의 데이터 저장용도로 적용될 경우, DVD 級 화질로 16시간 이상의 동영상을 저장할 수 있으며, MP3 음악파일 기준으로는 4,000곡 (1곡 5분 기준)의 저장이 가능해질 전망이다. □ 결국, 타블렛(Tablet) PC, PDA, HDD 내장 MP3 플레이어 等 旣存에 하드 디스크(HDD)를 사용하고 있거나, 필요로 하고 있는 모바일 기기에 광범위하게 적용, 이들 분야가 새로운 낸드플래시 시장으로 急浮上할 전망이다. □ "메모리 新성장론"에 기초한 낸드플래시의 성장은 開發 側面 뿐 아니라, 每年 2倍에 가까운 성장을 거듭하고 있는 시장규모 側面에서도 입증되고 있다. □ 시장조사 전문기관인 아이서플라이(iSuppli)는 낸드플래시 시장이 "01년 9억불에서 "03년 42억불을 기록하며 시장규모가 연평균 2배 이상씩 성장해 왔으며, 올해는 72억불, 내년에는 99억불을 전망하고 있는데, 이는 "01년 67억불에서 "05년 76억불로 연평균 3% 성장이 예상 되는 노어플래시 시장 성장 對比 월등히 높은 수준이다. □ 삼성전자의 낸드플래시 매출 역시, "01년 4억불, "02년 11억불, "03년 21억불에 이어 올해도 前年 對比 2倍 가까운 성장이 예상되면서 65% 이상의 시장점유율을 지속 유지, 메모리사업부를 先頭에서 견인하는 핵심제품으로 자리잡고 있다. □ 즉, 제품설계, 공정개발, 12인치 생산능력, 마케팅 等 낸드플래시 경쟁력을 구성하고 있는 全 분야에서 이미 獨步的 位相을 점하고 있는 삼성전자는, "05년末 부터는 이번에 개발한 8기가 낸드플래시 量産에 돌입, 大容量 낸드플래시 初期 市場을 확실히 先占할 계획으로 있어 旣存 競爭社와의 격차가 더욱 확대될 것으로 예상된다. □ 한편, 낸드플래시 外에도 삼성전자는, 대형 거래선을 중심으로 수요가 지속 증가하고 있는 노어플래시, "퓨전 메모리"의 一種으로 읽기속도가 빠른 노어플래시의 長點과 쓰기속도가 빠른 낸드 플래시의 長點을 同時에 살린 One-NANDTM 等 기타 플래시제품의 경쟁력 강화에도 노력을 집중하고 있다. □ 특히, 삼성전자가 메모리사업의 차세대 成長엔진으로 육성 中인 "퓨전 메모리"의 경우, ① 메모리와 로직제품의 融複合을 통해 기존 메모리 기능의 한계를 克服하고, ② 특히 모바일向 新市場 創出에 크게 기여함은 물론, ③ 궁극적으로는, 세계 반도체산업의 中長期 발전방향을 提示 하고 있다는 点에서 업계의 비상한 관심을 모으고 있다. □ 결론적으로, 지난해 23%의 시장 점유율을 실현, 플래시 메모리 부문 세계 1위에 오른 삼성전자는, 올해도 30%를 상회하는 시장 점유율로 세계 1位의 위치를 더욱 공고히할 것이 확실시 된다. < 80나노 2기가 DDR2 D램 개발 > □ 지난해 기자간담회時 "80나노 공정기술을 적용한 512Mb DDR D램 양산기술 확보"를 발표한 삼성전자가 올해는, 세계 최초로 "80나노 2기가 DDR2 D램" 개발에 성공했다고 밝혔다. □ 삼성전자는 旣存의 80나노 기술을 적용, 개발에 성공함으로써 최소 65나노급 이하의 첨단기술을 적용해야 2기가 容量의 D램 개발이 가능할 것이라는 業界의 通念을 뛰어 넘어 80나노 공정으로도 世界 最大容量의 D램을 개발한 것이다. □ 즉, "용량 확대"를 위해서는 "반드시 미세공정이 적용되어야 한다" 는 等式을 깨고, 설계 및 공정기술을 통해서도 容量 擴大가 가능하다는 것을 입증했다는 것이 금번 개발의 가장 큰 意義라 할 수 있다. □ 금번 80나노 2기가 DDR2 SD램 개발은, 삼성전자가 자체 개발한 "3차원 트랜지스터 기술 (RCAT, Recess Channel Array Transistor)" 및 "新槪念 아키텍처 기술" 을 적용, 旣存의 반도체 공정으로 용량을 확대하는데 성공함으로써 가능해졌다. □ RCAT 기술은 지난해 6월 세계적 권위의 반도체 학회인 VLSI 학회 에서 最優秀 論文으로 선정된 삼성 獨自 技術로, 한개의 트랜지스터와 한 개의 캐패시터로 구성된 D램 Cell 中 트랜지스터를 3차원 방식으로 제작, 面積을 最小化 함으로써 집적도를 더욱 높이는 新槪念 기술이다. □ 한편, 삼성전자는 DDR2급의 超高速 動作을 위해, ① 二重폴리 게이트 기술 ② 20Å (옹스트롱:100억분의1 미터)級 초박막 옥사이드 기술 ③ 三層 금속배선 기술 等의 최첨단 기술을 適用, DDR2의 모든 표준규격 속도 (400㎒/533㎒/667㎒)를 충족함과 同時에 이미 확보하고 있는 80나노 공정기술을 活用, 次世代 제품 생산을 실현함으로써 효율을 極大化할 계획이다. □ 삼성전자는 이번에 개발 성공한 2기가 DDR2 SD램 제품을 "05년부터 早期 量産할 계획으로 있으며, 最大 8기가 바이트 모듈 (DIMM) 製作이 가능해짐에 따라 주로 大容量 메모리 모듈을 요구하는 서버 및 워크스테이션에 搭載될 예정이라고 밝혔는데, □ 특히, 이 제품은 旣存 제품과 동일한 크기의 패키지(FBGA)를 채용, 2기가 바이트 / 4기가 바이트 / 8기가 바이트 等 旣存 모듈 제품과의 互換이 자유로워 追加費用 없이 旣存 시스템의 메모리를 쉽게 업그레이드할 수 있어 大容量 메모리 需要를 크게 振作시킬 수 있을 것으로 기대된다. □ 大容量 서버/워크스테이션에 大容量 메모리 採用이 本格化될 경우, 實時間으로 대용량 데이터 처리가 요구되는 동영상 회의, 원격 의료시스템, 쌍방향 통신, 3차원 그래픽 等 次世代 정보통신 革命을 앞당길 수 있을 전망이다. □ 기본적으로, DDR2 제품은 旣存 2.5V DDR400 제품 對比 동작전압은 1.8V로 낮지만, 동작속도는 빠름에 따라 110나노 이하 최첨단 공정에서만 量産이 가능한 제품인데, □ 數年 前부터 초고속 D램인 DDR2 시장의 조기정착 및 擴大를 위해 노력해 온 삼성전자는 "98년 개발 착수 以後, "02.5월 세계 최초로 512Mb DDR2 D램 개발에 성공하였으며, "03.10월에는 역시 세계최초로 양산제품을 出荷했다. □ 이와 同時에 주요 서버 업체에 시스템 개발용 제품을 지속적으로 공급해 "04.6월 인텔의 DDR2 지원 칩셋 出市를 계기로 DDR2 시장이 本格化 되면서 "04.9월에는 월 1천 5백만개의 DDR2 D램 판매 (256메가 환산)를 돌파할 예정이다. □ 반도체 시장조사 전문기관인 데이터퀘스트에 따르면, 전체 D램 中 DDR2 비중은 현재 11%에서 "05년末에는 50%로 증가, DDR2가 D램 시장의 주력으로 急浮上할 것으로 전망하고 있다 □ 결국, 올해말까지 DDR 全體 中 DDR2 比重을 34% 까지 높여 세계 DDR2 시장에서 50% 이상의 점유율을 목표로 하고 있는 삼성전자는 금번 80나노 2기가 DDR2 개발 성공을 통해 高性能 서버向 D램 시장에서 他의 追從을 불허하는 獨走體制를 갖추게 된 것으로 평가된다. < 세계 최고속 667MHz 모바일 CPU 개발 > □ 삼성전자는 이날 기자간담회를 통해, PDA, 스마트폰 等 차세대 모바일 기기의 性能을 획기적으로 향상시킬 수 있는 世界 最高速 667㎒ 모바일 CPU 개발에 성공했다고 밝혔다. □ 지난해 世界 最高速 533㎒ 모바일 CPU를 개발한 데 이어 올해 역시 最高速 667㎒ 모바일 CPU 개발에 성공한 삼성전자는 이 분야에서 최고의 기술력을 확보하고 있음을 立證하였다. □ 130 나노의 첨단 로직 공정기술을 適用, 동작전압 1.35V 에서 동작속도 667㎒의 특성을 확보한 삼성전자의 모바일 CPU는 超高速·超節電을 요구하는 모바일 機器 特性에 매우 적합한 것으로 평가되고 있다. □ 삼성전자는 超高速 모바일 CPU 구현을 위해 자동화 Tool만을 이용한 旣存의 설계방식에서 탈피, 직접 회로단계까지 분석/설계하여 高速化 動作에 맞게 最適化 시키는 技法인 "Structured Custom Design Methodology" 및 삼성 獨自 技術인 "고속회로 설계기술" 을 적용하였다. □ 더구나, 기존의 모바일 CPU는 정수 연산만을 지원했으나, 이번에 개발된 모바일 CPU는 3차원 그래픽을 위한 좌표연산 等 초정밀 데이터 처리用 부동소수점 연산기능을 지원, PDA, 스마트폰 等에서의 그래픽 처리, 3차원 게임, 디지털 오디오 처리 능력을 강화하였으며, 총 64KB의 대용량 캐쉬 메모리를 내장하여 동영상/이미지 等 고용량 멀티미디어 서비스 처리능력을 한차원 높인 것이 특징이다. □ 특히, 모바일 CPU는 SoC의 핵심기술로서 "차세대 반도체 기술의 꽃" 으로 알려져 있는데, 이번 삼성전자의 世界 最高速 모바일 CPU 개발은 작년에 이은 두 번째 快擧로, 삼성전자가 메모리 반도체에 이어 시스템 LSI 분야에서도 업계의 기술트렌드를 先導하고 있음을 입증하였다. □ 이 667MHz 모바일 CPU가 商用化 된다면, 3차원 그래픽과 동영상 지원을 강화, PDA, 스마트폰과 같은 휴대기기를 통한 영화감상, TV 시청, 3차원 게임 等 다양한 컨텐츠의 본격적인 擴大가 예상되며, 모바일 CPU 속도 경쟁도 本格化될 것으로 전망되고 있어 이번의 개발 성공이야말로 모바일 機器 市場의 급성장을 견인할 것이 確實視 된다. □"01년 SoC 연구소 설립 이후, 지속적인 투자를 통해 모바일 CPU를 포함한 多樣한 SoC 제품의 연구개발을 강화해 온 삼성전자는 내년에는 동작속도 800㎒급을, "06년에는 1㎓급 모바일 CPU 開發을 推進하는 等 모바일 CPU를 비롯한 SoC 분야의 기술 리더십을 지속 강화해 나갈 계획이다. Ⅲ. 主要 Interview 內容 □ IT 트랜드 및 삼성전자 반도체사업 성과 관련 - 불규칙적이고 불연속적인 IT 산업도 하나의 一貫된 트랜드는 가지고 있는데, 지금의 트랜드는 바로 "모바일" ※ 지금이야 "모바일" 이라는 單語가 흔하게 사용되고 있으나, 몇年 前만 해도 이 흐름을 정확히 豫測하고 對備했던 會社는 그리 많지 않았음. -"04년 상반기 기준, 삼성 반도체 사업의 前年 同期比 성장률은 80%로 반도체 업체 中 最高를 기록, 반도체 세계 1位 업체와의 격차 지속 축소 ("04년 상반기, 1位 업체比 매출 50% 수준) - 삼성전자 반도체사업의 이러한 성과야말로 數年 前부터 "모바일化" 에 對備, 착실히 준비해 왔던 것이 주효 □「메모리-시스템 LSI 同伴成長」加速化 관련 - 올해初 삼성전자 반도체총괄 社長 취임時 "IT 업계 最大 話頭인 "모바일"向 종합반도체 업체라면 전세계에서 삼성전자가 唯一한데, 이제까지는 메모리와 시스템 LSI가 獨自的으로 움직인 측면이 있었다." 고 指摘 - 시스템 인 패키지(SiP), SoC, 퓨전메모리(Fusion Memory), 플래시 Controller 等 삼성 메모리의 강력한 경쟁력을 레버리 지로 시스템 LSI도 함께 성장하는「메모리-시스템 LSI 同伴 成長 모델」을 就任一聲으로 강조 ※"모바일"向 Total Solution을 唯一하게 보유하고 있는 삼성전자의 向後 行步야말로 모바일을 根幹으로 한 "半導體 新成長" 時代의 가장 重要한 變數임을 읽을 수 있는 대목 ※ 오늘 발표한 "世界 最高速 모바일 CPU" 역시 삼성전자의 이러한 意志의 일환 □ 차별화 관련 - 지금은 아무리 경쟁력 있는 회사라도, "차별화" 되지 않은 Commodity 제품으로 시장을 대응하거나, 단순히 旣存 市場을 침투하는 전략으로만 일관한다면, 市況에 따른 극심한 實績 變動은 불가피 - 삼성 반도체 사업에 있어 "차별화"는 이제 特別한 戰略이라기 보다는 日常的인 活動 □ "技術 標準化" 관련 - 이제 어떤 측면에서는 "표준화"가 "技術" 그 자체보다 더욱 중요 - 劃期的인 新技術이라 할 지라도 그것이 市場에서 "標準化" 되어 광범위하게 활용되지 않는다면, 技術 自體만으로는 無意味 - 삼성전자는 JEDEC, MMCA, MIPI 等 표준화 관련 국제기구의 의장 회사로 활동하고 있는 等 적극적인 대외활동을 통해 新製品의 표준규격을 지속 主導해 나가고 있으며, 앞으로도 이 分野 활동에 더욱 매진할 계획 □ 삼성전자 반도체총괄 중장기목표 관련 - 삼성의 반도체사업은 "모바일 경쟁력"을 바탕으로 數年內 세계 최고의 半導體 會社로 성장하는 것이 목표임을 前提 - 현재 세계 1位인 D램, S램, 플래시, DDI (디스플레이 구동칩) 外에도 올해는 MCP (Multi Chip Package) 1位를 달성하고, "07년 까지 CIS(CMOS 이미지센서), 옵티컬 플레이어(Optical Player) SoC, 스마트카드 칩, 모바일 CPU 等 追加 4個 제품을 세계 1位로 육성할 계획 □ 우리나라 반도체분야 理工系 人力 需給 관련 - 디지털 TV·방송, 차세대 이동통신, 지능형 홈 네트워크 等 현재 정부가 추진하고 있는「10大 차세대 성장동력 산업」의 根幹이 되는 核心技術은 결국 반도체 - 우리가 이미 상당한 경쟁력을 확보하고 있는 반도체 분야를 世界 超一流 水準으로 키우는 것이 앞으로 전체 국가경쟁력 차원에서 매우 중요한 과제가 될 것임은 이미 검증되었으나, 이를 뒷받침해야 할 반도체 분야 理工系 人力의 부족현상은 현재 매우 심각한 상태 - 대책 수립에만 그치지 말고, 이제는 정부,기업,반도체협회 等이 상호 유기적인 협력을 바탕으로「해결을 위한 실천 Mode」로 들어서야 할 時期 □ 참고자료 ○ 세계최초 60나노 상용화 의미 - 나노(nano meter)란 10억분의 1미터를 가리키며, 60나노란 머리카락 굵기의 2,000분의 1 (성인 머리카락 굵기는 약 120미크론)에 해당하는 超微細 크기이다. - 반도체를 제작할 때, 미세한 회로를 그려 설계하고, 이를 바탕으로 반도체 칩에 사진처럼 새겨 넣게 되는데, 회로선의 폭이 작으면 작을 수록 더욱 많은 데이터와 정보를 저장하고 처리할 수 있다. - 60나노 반도체는 머리카락 굵기의 2,000분의 1크기의 회로선 폭으로 설계해, 동일한 면적에서 더욱 많은 데이터 및 회로를 그릴 수 있어, 대용량 반도체 제품을 구현할 수 있으며, 기존대비 생산량이 크게 증가해 원가경쟁력이 좋아진다. - 반도체업체들은 △ 대용량 제품을 먼저 내놓아 초기시장을 선점하고 △ 생산량 향상에 따른 원가 경쟁력의 확보를 위해 "미세 회로 기술", 특히 "나노 기술" 적용에 사활을 걸고 있다. - 나노를 적용한 사례는 삼성전자가 지난해 9월 세계최초로 70나노를 적용한 4기가 플래시메모리 개발에 이어, 이번에 60나노를 적용한 8기가 낸드플래시를 세계최초로 개발했다. 최근 인텔은 65나노 기술을 내년 이후에 CPU에 적용할 것으로 알려졌다. 반면, 마이크론, 인피니언, 하이닉스 등의 대부분 반도체 업체들은 90나노 기술 개발수준에 머물고 있어, 1년 이상 삼성전자에 뒤져 있는 것으로 알려지고 있다. - 삼성전자가 이번에 개발한 80나노 2기가 DDR2 D램의 경우도, D램에서는 세계최초로 80나노를 적용한 것으로, 경쟁사와 격차를 더욱 벌여 나가고 있다. ○ 세계최초 8기가 반도체 의미 - 기가(Giga)란 10억배를 나타내는 것으로, 반도체에서 기가란 10억개의 트랜지스터가 집적된 것으로 설명할 수 있다. - 8기가 반도체는 80억개 이상의 트랜지스터를 집적한 것으로, 하나의 반도체에 신문 6만4천장에 해당하는 정보를 저장할 수 있다. - 8기가비트(Giga-bit) 낸드플래시는 16기가바이트(Giga-Byte)의 메모리카드를 제작할 수 있는데, 이는 신문지 100만장 이상, 단행본 2만권이상, DVD級 영화 10편, MP3 음악파일 4,000곡을 저장할 수 있는 수준이다. - 지금까지 세계 반도체에서 가장 집적도가 높은 것은 삼성전자가 지난해 개발한 4기가 낸드플래시 였으며, D램에서는 1기가가 최고 용량이었다. 하지만, 이번에 삼성전자는 8기가 낸드플래시와 2기가 DDR2 D램을 동시에 개발함으로써, 독보적인 우위를 지켰다.