(희망+)(기업강국)⑨"1등하는 삼성, 격차 더 벌린다"

40나노 D램, 퓨전메모리, SSD 등 육성
"초격차 시대..내부효율 강화"
  • 등록 2009-03-26 오후 3:34:31

    수정 2009-03-26 오후 6:42:46

[이데일리 류의성기자] "위기상황에서는 오히려 경쟁사와 격차를 더 크게 벌려야 한다"
지난달 18일 이윤우 삼성전자 부회장은 올해 첫 경영전략회의를 열고 이같이 말했다.

지금은 `초격차(超格差)확대의 시대`로, 내부효율과 스피드 경영을 강화해야 한다는 주문도 이어졌다. 
그가 말한 `초격차 확대의 시대`는 일본의 유명 경제평론가 하세가와 게이타로가 쓴 저서다.

이 부회장은 위기상황에서 승자와 패자의 격차가 더욱 벌어질 수 있음을 이렇게 표현했다. 역사적으로 불황기가 후발주자에게 역전의 기회가 된 사례가 있으니, 경쟁사와 격차를 더욱 벌릴 수 있는 모멘텀을 확보하라는 의미다. 

◇"40나노 D램으로 반도체 부활을 꿈꾼다"

지난달 삼성전자 화성사업장에서는 D램 PA팀원들은 서로 손을 꼭 잡고 `해냈다`는 기쁨을 나누고 있었다. 세계 메모리반도체 업계 처음으로 40나노급 D램 시대를 연 것.

40나노(nm)는 머리카락 굵기의 3000분의 1 크기다. 즉 반도체를 구성하는 회로 선들의 굵기를 이 정도 수준으로 미세하게 만들었다는 얘기다.

칩 면적을 줄여 기존 제품보다 생산성을 60% 높였다. 회사 관계자는 "이 D램을 채택한 PC 등 제품은 전력 소모량을 줄일 수 있다"며 "특히 인터넷 사용량이 급증하면서 전력 사용량이 많은 데이터센터의 서버에서 큰 위력을 발휘할 수 있다"고 설명했다.

삼성은 그동안 D램 개발에 있어서 타 경쟁사보다 항상 앞서왔다. 2005년 60나노급 D램 개발에 이어 2006년에는 50나노급 D램도 세계 최초로 개발했다.

이번 40나노급 D램 개발 자체도 의미가 있지만, 이보다 더 큰 성과가 담겨있다.
▲40나노 D램을 개발한 삼성전자 화성사업장 D램 PA팀이 웨이퍼를 들고 있다. 


 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
제품개발 기간 6개월 단축과 `양산을 위한 개발`이라는 점이다. 삼성전자는 오는 3분기 중에 40나노급 2기가 DDR3 제품 양산에 들어간다.  다시 말해 제품 개발 후 양산까지 2년이 걸렸던 50나노와 비교할 때 양산화 기간을 1년 이상 단축시켰다는 얘기다. 

해외 D램반도체가 50~60나노급 D램 양산에 머물러 있다는 점을 감안하면 삼성전자(005930)와의 제조 경쟁력 격차는 1~2년 이상으로 벌어지게 된다.

시황이 어려울수록 차별화 된 기술력을 발휘하고 위기를 극복하려는 삼성 반도체의 노력이 성과로 나타나고 있는 것이다.

◇퓨전메모리로 시장을 창출하라

삼성전자는 올해 초 대대적인 인사 및 파격적인 조직개편을 단행했다. 그러면서 어려운 국내외 경기 상황에서 내부 효율을 극대화하겠다고 밝혔다. 
그렇다면 삼성 반도체는 내부 효율 극대화를 어떻게 실행에 옮기고 있을까.


김창현 삼성전자 DS부문 메모리사업부 전무(사진)는 "고객의 다양한 요구 조건을 만족시키기 위해 토털 메모리 솔루션을 강화해 나가고 있다"고 소개했다.

삼성전자 반도체는 서로 다른 낸드플래시를 하나로 통합하는 식의 퓨전(Fusion) 전략을 구사해 독자적인 시장을 만들어나가고 있다. 
 
퓨전 전략은 삼성 내부에선 `토털 메모리 솔루션`으로 통한다.

일례로 삼성은 지난 10일 퓨전메모리 제품에 40나노급 공정을 적용한 `8기가 플렉스 원낸드(Flex-OneNANDTM)`를 개발했다.
 
8기가 플렉스 원낸드는 스마트폰 등 고급 휴대폰 전원을 켤 때 사용되는 SLC 낸드플래시와 동영상 등 데이터 저장용 MLC 낸드플래시를 하나로 통합한 것이다.

이 제품은 삼성전자의 `퓨전 반도체 3호`라는 닉네임이 붙어있다. 1호 퓨전 반도체는 지난 2004년 개발한 원낸드, 2호 퓨전 반도체는 2006년 개발한 원디램이다.

원낸드는 낸드플래시와 콘트롤러를 합친 것이다. 콘트롤러는 메모리 반도체를 제어하고 제품 성능을 좌우하는 엔진 역할을 한다. 단순히 낸드플래시만을 판매하는 경쟁사들과는 차별화한 것이다.

고객사 입장에선 삼성의 퓨전 반도체 덕분에 메모리 제품 개발시 콘트롤러나 소프트웨어 개발에 별도의 노력을 들일 필요가 없다. 그만큼 비용과 시간을 절감할 수 있게 된 것이다.

삼성전자는 차별화 제품의 수요 증대에 대응하기 위해 올해 원낸드 제품의 생산을 지난해 대비 2배 이상으로 확대할 예정이다.

이를 기반으로 퓨전 메모리의 사업화 역량을 강화하고 고용량 카드 시장의 성장을 견인해 나간다는 전략이다.

김 전무는 "퓨전메모리 자체도 의미가 크지만, 고객의 개발 편의성을 위해 삼성의 메모리사업부와 시스템LSI사업부 간의 벽을 넘어 시너지를 발휘한 것이야말로 내부 효율 극대화를 위한 사례"라고 말했다. "이는 곧 삼성이 가진 고객 중심의 문화"라는 설명도 곁들였다.

퓨전메모리외에도 삼성전자는 차세대 데이터저장장치라 불리는 SSD(솔리드 스테이드 드라이브) 시장에도 집중하고 있다. SSD 시장 창출로 낸드사업의 신성장 동력으로 육성한다는 전략이다.

SSD 탑재율은 2008년 전체 PC시장의 2% 수준이지만 2011년에는 20% 이상으로 크게 증가할 것으로 예상된다. 삼성전자는 오는 2012년에는 SSD 시장점유율 50%를 확보한다는 목표를 세웠다.

한편 김 전무는 "메모리업계가 세계 불황 여파로 어려운 경영환경에 처해 있지만 이런 위기는 첨단기술 개발 경쟁력과 차별화된 제품력을 확보하지 않으면 극복할 수 없다"고 강조했다.
 
김 전무는 이어 "고객사와의 신뢰와 기술 경쟁력 우위를 유지하기 위해 한발앞서 차세대 제품을 개발·양산해 나갈 것"이라고 덧붙였다.
▲삼성전자 반도체라인 공장 모습



 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
 
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