로이터 "삼성도 HBM 생산에 MUF 도입"…삼성 "계획 없다"

[이데일리 김응열 기자] 삼성전자가 인공지능(AI)향 고대역폭메모리(HBM) 제조에 SK하이닉스 방식의 공정을 도입하기 위해 관련 장비 구매에 나설 것이라는 보도가 나왔다. 다만 삼성전자는 기존 자사의 공정을 유지하고 있다며 부인했다.

삼성전자 서초사옥. (사진=이데일리 DB)

로이터통신은 13일 복수의 익명 소식통을 인용해 “삼성전자(005930)가 최근 ‘MUF’ 기술과 관련된 반도체 제조 장비를 구매에 나서기로 했다”고 보도했다. 한 소식통은 “삼성전자는 HBM 수율을 높이기 위해 무엇인가 해야 했다”고 언급했다.

HBM은 D램을 여러 개 쌓아 만든 메모리다. D램 사이에 D램간 가교 역할을 하는 범프를 연결해 제조한다. 이때 삼성전자는 D램 사이에 비전도성필름(NCF)을 넣은 뒤 열로 압착하는 ‘TC-NCF’ 방식을 이용해 HBM을 만든다.

반면 SK하이닉스는 D램을 쌓아 붙인 뒤 열을 가해 1차 납땜을 한 후 D램 사이에 끈적한 액체를 흘려넣어 단단하게 굳히는 ‘MR-MUF’ 방식으로 HBM을 만든다. SK하이닉스의 방식이 대량생산에 유리하다는 게 업계와 전문가들의 평가다.

로이터는 HBM 시장에서 SK하이닉스가 삼성전자를 앞서는 이유로 이 같은 공정의 차이를 지목하면서, 삼성전자가 이 같은 상황을 역전하기 위해 MUF 장비 구매에 나섰다고 분석했다.

다만 삼성전자는 이 같은 보도를 부인했다. 기존의 공정을 유지하면서 단점을 개선하겠다는 계획이다. 삼성전자 관계자는 “HBM 제조에 MR-MUF 방식을 도입할 계획은 없다”고 말했다.