SK하이닉스, 세계 최고속 서버용 D램 개발.."처리 속도 80%↑"

DDR5 MCR DIMM 샘플 개발 성공
DDR5 현존 최고 8Gbps 속도 구현
"인텔, 르네사스와 협업 통해 신제품 개발"
  • 등록 2022-12-08 오후 2:19:09

    수정 2022-12-08 오후 7:49:20

[이데일리 최영지 기자] SK하이닉스가 신개념을 도입한 세계 최고속 서버용 D램 제품인 ‘DDR5 MCR DIMM’의 샘플 개발에 세계 최초로 성공했다고 8일 밝혔다. 이번 제품은 동작 속도가 초당 8Gb(기가비트) 이상으로, 초당 4.8Gb인 서버용 DDR5보다 속도가 80% 넘게 빨라졌다.

▲SK하이닉스의 DDR5 MCR DIMM (사진=SK하이닉스)
이번 MCR DIMM 개발에 DDR5의 동작 속도를 높이기 위해 새로운 개념이 도입됐다는 게 회사 측 설명이다. 그동안 DDR5의 속도는 D램 단품의 동작 속도에 좌우된다는 것이 일반적인 인식이었으나 이번 제품에서는 D램 단품이 아닌 모듈을 통해 속도를 높이는 방향으로 개발이 진행됐다.

SK하이닉스 기술진은 MCR DIMM에 탑재한 데이터 버퍼(Buffer)를 사용해 D램 모듈의 기본 동작 단위인 랭크 2개가 동시 작동하도록 설계했다. 버퍼는 D램 모듈 위에 같이 탑재돼 D램과 중앙처리장치(CPU) 사이의 신호 전달 성능을 최적화하는 부품으로, 고성능과 안정성이 요구되는 서버용 D램 모듈에 주로 탑재된다.

MCR DIMM에서는 2개의 랭크가 동시 동작해 128바이트가 CPU에 전송된다. 1개의 랭크에서 한번에 64바이트(Byte)의 데이터가 CPU에 전송되는 보통의 D램 모듈보다 빨라진 것으로, D램 단품보다 2배 가까이 빠른, 8Gbps 이상의 속도를 구현했다.

SK하이닉스는 이번 제품 개발을 성공시킨 데 미국 인텔, 일본 르네사스와의 글로벌 협업이 주효했다고 강조했다. 이들은 제품이 나오고 세계 최고 속도와 성능이 검증되기까지 긴밀하게 협업해 왔다.

류성수 SK하이닉스 부사장(DRAM상품기획담당)은 “당사의 모듈 설계 역량에 인텔의 서버 CPU와 르네사스의 버퍼 기술력이 융합되면서 이번 제품 개발이 가능했다”며 “실제로 MCR DIMM이 안정적으로 성능을 내려면, 모듈 내외에서 함께 동작하는 데이터 버퍼와 서버 CPU간의 상호작용이 매우 중요하다”고 말했다.

SK하이닉스는 향후 고성능 컴퓨팅 시장에서 MCR DIMM의 수요가 크게 늘어날 것으로 보고 있다. 회사는 고객 수요가 본격화화는 시점에 맞춰 이 제품을 양산할 계획이다.

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