日제재 불구 `갤노트10`…EUV·이미지센서 등 非메모리 기술 집약

‘갤럭시 노트10+’. (사진=삼성전자)

[이데일리 양희동 기자] 비(非)메모리 반도체를 겨냥한 일본의 수출규제 속에서도 삼성전자(005930)가 올해 하반기 전략스마트폰 ‘갤럭시노트10(갤노트10)’에 EUV(극자외선) 등 최첨단 시스템반도체 기술을 집약해 선보였다. 일본은 지난달 4일부터 △플루오린 폴리이미드 △포토리지스트(PR·감광액) △에칭가스(고순도 불화수소) 등 3개 품목의 수출 제재를 해왔다. 이 가운데 갤노트10에 적용된 모바일AP(애플리케이션 프로세스), 이미지센서(빛을 전기신호로 바꾸는 반도체), 디스플레이 구동칩(DDI), 전력반도체(PMIC) 등의 생산 공정에는 PR과 에칭가스가 필수라 생산 차질이 우려돼 왔다. 그러나 삼성전자는 일본의 제재 직후 곧바로 ‘컨틴전시 플랜(Contingency Plan·비상계획)’에 돌입, 90일분 이상의 소재·부품을 확보하며 제품 출시를 준비해온 것으로 전해진다.

8일 업계에 따르면 삼성전자가 지난 7일(현지 시간) 미국 뉴욕 ‘삼성 갤럭시 언팩 2019’에서 공개한 갤노트10은 갤럭시시리즈 최초로 EUV 기반의 7나노(nm·10억 분의 1m) 공정만으로 양산한 모바일AP를 탑재했다. 올 상반기 전략스마트폰 ‘갤럭시S10’에선 EUV기반 7나노와 함께 핀펫(FinFet) 기반 8나노 공정을 병행한 AP를 탑재했었다.

삼성전자는 화성 사업장에서 올 초부터 7나노 제품을 출하했고 지난 4월엔 5나노 공정 개발에도 성공하며 EUV 기술에 확대에 매진해왔다. 그러나 일본이 지난달 4일부터 EUV 공정에 필수적인 EUV용 PR 수출을 한달 이상 막으면서, 7나노 제품 양산에 문제가 생길 수 있다는 우려가 확산돼 왔다.

삼성전자는 기존 일본산 EUV용 PR 재고 확보에 주력하는 동시에, 2014년부터 2820억 달러를 투자한 미국 소재 업체 ‘인프리아(Inpria)’의 EUV용 PR 등 수급 다변화를 강력 추진했다. 그 결과 갤노트10의 모바일AP 전체를 EUV 기반 7나노 공정 제품으로 완성했다.

삼성전자는 또 일본 소니를 넘어 세계 1위를 목표로 하고 있는 이미지센서도 최첨단 제품을 갤노트10에 적용했다. 이번 갤노트10에는 3D 센싱용 ToF(Time of Flight·비행시간 거리측정) 카메라모듈이 장착됐다. 이 모듈을 최적화할 이미지센서로 지난 5월 공개한 ‘아이소셀 브라이트’가 탑재된 것으로 파악된다. 이 제품은 4개의 픽셀을 1개처럼 동작시켜 감도를 4배 높이는 ‘테트라셀’ 기술이 적용돼 어두운 환경에서도 밝은 이미지 촬영이 가능하다. 또 빛의 손실을 줄이는 ‘아이소셀 플러스’ 기술로 색 재현성도 높였다.

갤노트10은 무선 배터리 공유 기능을 지원해 빠른 유무선 충전을 지원한다. ‘갤노트10+’의 경우엔 45W 초고속 유선 충전을 지원해 30분 충전만으로 하루 종일 사용이 가능하고, 고속 무선 충전도 지원한다. 이런 배터리 기술을 가능케 한 ‘전력관리반도체(PMIC)’도 삼성전자가 비메모리에서 영역을 확대하고 있는 제품이다. PMIC는 최적의 배터리 성능(사용시간)을 위해 전력을 배분·제어하는 역할을 하며 스마트폰 1개 당 3~5개가 들어간다. 여기에다 테두리 없는 6.3인치·6.8인치 ‘인피니티 디스플레이’를 구현한 OLED(유기발광다이오드) DDI도 탑재됐다.

삼성전자 관계자는 “7나노 공정 등을 적용한 모바일AP 등 갤노트10용 시스템반도체는 현재까지 문제없이 생산하고 있다”고 말했다.

한편 이낙연 국무총리는 이날 정부서울청사에서 열린 국정현안점검조정회의에서 “일본이 어제 3대 수출규제 품목의 하나인 EUV용 PR의 한국 수출을 처음으로 허가했다”고 밝혔다.

[이데일리 이동훈 기자]