삼성전자, 25일 3나노 반도체 제품 출하식 개최

[이데일리 장영은 기자] 삼성전자(005930)가 다음주 세계 최초로 3나노미터(1㎚=10억분의 1m) 공정으로 생산한 반도체 제품을 처음으로 선보인다.

삼성전자는 지난달 30일 GAA 기술을 적용한 3nm 파운드리 공정 기반의 초도 양산을 시작했다고 밝혔다. (사진= 삼성전자)

19일 정부와 업계에 따르면 삼성전자는 오는 25일 화성 사업장에서 반도체 위탁생산(파운드리) 3nm 제품 출하식을 개최할 예정이다. 출하식에는 이창양 산업통상자원부 장관, 경계현 삼성전자 사장 등이 참석할 것으로 알려졌다.

삼성전자는 이날 행사를 통해 3nm 제품을 처음으로 공개한다. 앞서 2019년에 7nm 제품을 처음으로 외부에 공개할 때는 삼성전자 갤럭시 시리즈에 탑재될 스마트폰 애플리케이션프로세서(AP)칩을 선보였다.

앞서 삼성전자는 지난달 30일 3㎚ 공정의 고성능 컴퓨팅(HPC)용 시스템 반도체를 초도 생산했다면서, 모바일 시스템온칩(SoC) 등으로 3㎚ 공정 적용을 확대해 나갈 것이라고 밝혔다.

3㎚ 공정은 현 반도체 제조 공정 가운데 가장 앞선 기술이다. 삼성전자는 지난달 게이트올어라운드(GAA) 3nm 양산을 발표하면서 초미세공정 기술력에서 TSMC를 앞섰다.

삼성전자의 3nm GAA 1세대 공정은 기존 5nm 핀펫 공정과 비교해 전력은 45% 절감하고 성능은 23% 높일 수 있다. 내년 도입 예정인 GAA 2세대 공정은 전력을 50% 절감하면서 성능 30% 향상할 수 있을 것으로 기대된다.

삼성전자의 3nm 양산으로 세계 파운드리 시장에서 주도권 경쟁은 더욱 치열해질 전망이다. 시장조사업체 옴디아에 따르면 3nm 공장 반도체는 올해부터 매출을 올리기 시작해 2024년에는 5nm 공정 매출을 넘어서고, 2025년까지 연평균 85% 증가할 것으로 예상된다. 7nm 공정의 증가율은 0.1%, 5nm 증가율은 7.5%에 불과하다. 사실상 3nm 이하 초미세 공정 기술을 보유한 반도체 기업만이 살아남을 수 있다는 이야기다.