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로이터는 이날 소식통을 인용해 미 상무부가 이번주 디램(DRAM)이나 낸드 플래시 등 첨단 메모리 반도체를 생산하는 중국 반도체 기업에 대한 미국 업체의 반도체 장비 수출을 사실상 금지하는 내용의 규제안을 발표할 것이라고 전했다.
보도에 따르면 신규 제재는 미국 반도체 장비 업체가 중국에 기반을 둔 첨단 메모리칩을 생산하는 반도체 회사에 수출을 하기 위해서는 미 상무부의 별도 허가를 받도록 하고 있다. 첨단 메모리칩의 기준은 △18나노미터 이하 D램 △128단 이상 낸드 플래시 △14나노미터 이하 로직칩이다. 로이터는 허가 기준이 사실상 충족이 불가능한 수준이라고 부연했다.
주미중국대사관은 미국의 신규 제재 조치에 대해 “기술력을 이용해 신흥 시장과 개발도상국의 발전을 억압하려는 것”이라며 비판했다.
중국에서 메모리 반도체를 생산하는 외국 기업에 대한 수출은 건별로 별도 심사를 거칠 예정이다. 이들 외국 기업에 대한 미국 업체의 장비 수출은 허가될 가능성이 높다고 로이터는 덧붙였다.
그러나 삼성전자와 SK하이닉스도 새로운 규제의 영향권에서 완전히 벗어날 수는 없을 것으로 보인다. 새로운 허가 절차가 생기는데다 이전에 비해 엄격한 심사 기준이 적용되기 때문이다.
컨설팅업체 욜인텔리전스에 따르면 낸드 칩은 SK하이닉스가 25%, 삼성전자는 38%를 각각 중국에서 생산하고 있으며, SK하이닉스의 D램 생산량 가운데 중국산이 차지하는 비중은 50%다.