AMD-후지쯔, 사이푼과 기술 사용 합의

[edaily 권소현기자] 이스라엘의 사이푼반도체가 AMD와 후지쯔를 상대로 제기했던 특허권 침해소송이 삼사간 합의로 마무리됨에 따라 하나의 셀에 여러개의 비트를 저장할 수 있는 멀티플래시 기술 개발에 가속도가 붙을 것으로 보인다.

31일 EE타임즈에 따르면 AMD와 후지쯔가 셀당 4개의 비트를 저장할 수 있는 플레시 메모리 개발에 사이푼반도체의 기술을 이용하는 한편 사이푼반도체에 일정금액을 투자키로 합의하면서 삼사는 상호간 제기했던 법정소송을 모두 취하키로 했다.

이에 따라 AMD와 후지쯔는 각각 다른 레벨에서 각각의 비트를 구현할 수 있는 멀티레벨 플레시 기술과 단일 셀의 레이어에서 각각의 비트를 만들어낼 수 있는 멀티비트 기술을 개발하게 된다.

이처럼 더 많은 비트를 저장하는 기술은 음악과 이미지파일 변환 등 대용량의 데이터 서비스를 지원하는 2.5세대 및 3세대 휴대폰과 같은 기기에서 필요하다. 기존 AMD와 후지쯔의 `미러비트` 플래시메모리와 인텔의 `스트라타플래시` 기술은 셀당 2개의 비트를 저장하는데 그친다.